Jump to content
Sign in to follow this  
yanni

Toshiba-Sandisk και Intel-Micron ανακοινώνουν 3D NAND τεχνολογίες

Recommended Posts

Η Samsung εδώ και έξι μήνες διαθέτει προϊόντα που χρησιμοποιούν 3D NAND flash. Αυτές τις μέρες τόσο η Toshiba η οποία συνεργάζεται με την Sandisk όσο και η Intel σε συνεργασία με την Micron δημοσίευσαν πληροφορίες σχετικά με τις δικές τους τεχνολογίες 3D NAND.

.
Η ιδιαιτερότητα της 3D NAND είναι ότι αποτελείται από πολλαπλά επίπεδα από τρανσίστορς, το ένα πάνω από το άλλο, σε αντίθεση με την μέχρι σήμερα μέθοδο κατασκευής, η οποία τοποθετούσε τα τρανσίστορ σε ένα επίπεδο και μέσω της εξέλιξης των τεχνολογιών κατασκευής και τα όλο και λιγότερα νανόμετρα, προσπαθούσε να στριμώξει όλο και πιο πολλά, σε όλο και μικρότερη επιφάνεια. Το πιο γνωστό ίσως προϊόν που αξιοποιεί σήμερα 3D NAND flash είναι ο γνωστός SSD, 850 Pro της Samsung. Σχετικό review του SSD, είχε παρουσιαστεί στο TheLab και μπορείτε να βρείτε και να διαβάσετε εδώ εδώ.

 

Toshiba 3D Bics

Toshiba Bics

 

Ξεκινώντας από την Sandisk και την Toshiba, οι εταιρίες ανακοίνωσαν ότι κατάφεραν να κατασκευάσουν ένα 48 επιπέδων δεύτερης γενιάς 3D NAND chip με χωρητικότητα 128Gbit (16 Gigabytes). Η εν λόγω 3D NAND κατασκευή αποκαλείται BiCS(Bit Cost Scaling) και είναι αρκετά διαφορετική από της TCAT της Samsung, αν και διατηρεί κάποιες κατασκευαστικές ομοιότητες. Όπως και στην περίπτωση της TCAT της Samsung, έτσι και εδώ η Toshiba και η Sandisk υπόσχονται, εκτός από μεγάλες χωρητικότητες, αυξημένη αξιοπιστία, υψηλότερη αντοχή και περισσότερες εγγραφές/διαγραφές, μικρότερη κατανάλωση, καθώς και αυξημένες επιδόσεις.

 

Η Toshiba σκοπεύει να αρχίσει την κατασκευή 3D NAND στο Fab 5 της εταιρίας. Στο πρώτο μισό του 2016 αναμένεται να είναι έτοιμο και το Fab 2 το οποίο θα αυξήσει την δυνατότητα παραγωγής 3D NAND σημαντικά. Αν και δείγματα υπάρχουν ήδη διαθέσιμα για αξιολόγηση, η μαζική διάθεση προϊόντων που θα αξιοποιούν 3D NAND, αναμένονται σε έναν χρόνο από τώρα.

 

Intel Micron 3D 1

3D NAND 32 Layer Stack

 

Ανάλογη ανακοίνωση έκαναν και η Intel με την Micron τονίζοντας τα πλεονεκτήματα και τις δυνατότητες της 3D NAND. Σε αντίθεση με τις Samsung και Toshiba-Sandisk οι οποίες επέλεξαν να χρησιμοποιήσουν τεχνολογία charge trap, η Intel και η Micron επέλεξαν να χρησιμοποιήσουν σχεδίαση τύπου floating gate cell που είναι αυτή που χρησιμοποιείται χρόνια τώρα και πιθανόν είναι και πιο οικονομική στην κατασκευή, με πιο προβλέψιμη συμπεριφορά. Επιπλέον Intel και Micron στοχεύουν περισσότερο στην αγορά των SSDs, έναντι των άλλων εταιριών οι οποίες στοχεύουν και στις mobile συσκευές, αλλά και σε κάρτες SD ή άλλα περιορισμένων διαστάσεων αποθηκευτικά μέσα.

 

Το πρώτο προϊόν θα είναι ένα 32 επιπέδων MLC chip των 256GBit (32 Gigabytes) που θα μπορεί να λειτουργήσει και σε TLC mode φτάνοντας την χωρητικότητα στα 384Gbit (48 Gigabytes). Η 256Gb MLC έκδοση του 3D NAND είναι ήδη σε στάδιο κατασκευής δειγμάτων, με αυτό των 384 Gb να ακολουθήσει αργότερα. Αυτού του επιπέδου οι χωρητικότητες επιτρέπουν την δημιουργία 2,5'' SSDs των 10TB. Προϊόντα, κυρίως SSDs, που θα αξιοποιούν την τεχνολογία αυτή, αναμένονται μέσα στο 2016.



Κάντε κλικ εδώ για να δείτε το άρθρο

Share this post


Link to post
Share on other sites

Join the conversation

You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.

Guest
Reply to this topic...

×   Pasted as rich text.   Paste as plain text instead

  Only 75 emoji are allowed.

×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

×   Your previous content has been restored.   Clear editor

×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.

Sign in to follow this  

×
×
  • Create New...

Important Information

By using this site, you agree to our Terms of Use.