Η Samsung ανακοίνωσε τον πρώτο Z-SSD με μνήμη Z-NAND

Η Samsung ανακοίνωσε το πρώτο της προϊόν το οποίο χρησιμοποιεί τον νέο τύπο μνήμης Z-NAND και το οποίο αποτελεί σε έναν βαθμό την απάντηση της Samsung στα προϊόντα Optane της Intel. Πρόκειται για τον Z-SSD SZ985, ο οποίος προορίζεται για επιχειρήσεις και συστήματα πολύ υψηλών επιδόσεων(HPC), προσφέροντας κορυφαίες επιδόσεις αλλά και μεγάλη αντοχή στο χρόνο, η οποία φτάνει τα 42 petabytes σε εγγραφές ή αλλιώς 30 πλήρεις εγγραφές για πέντε χρόνια.

Η Samsung είχε αναφερθεί πολλές φορές στο παρελθόν στην μνήμη τύπου Z-NAND και στο μοντέλο SZ985, δείχνοντας σε κάποιες περιπτώσεις και πρωτότυπα. Αν και τα αρχικά σχέδια μιλούσαν για 1TB αποθηκευτικά μέσα, εντός του 2016 και μοντέλα των 2TB και 4TB για το 2017, χρειάστηκε να φτάσουμε στις αρχές του 2018 για να δούμε τα πρώτα μοντέλα τα οποία είναι έτοιμα για τους τελικούς καταναλωτές. Έτσι έχουμε την ανακοίνωση δύο μοντέλων, ενός χωρητικότητας 240GB και ενός χωρητικότητας 800GB.

Η Samsung δεν αποκάλυψε πολλά όσον αφορά τα τεχνικά χαρακτηριστικά του SZ985, αναφέροντας πάντως ότι χρησιμοποιεί και 1,5GB μνήμης LPDDR4 μνήμης για βελτίωση των επιδόσεών του. Όσον αφορά τις επιδόσεις, ο SZ985 μπορεί να επιτύχει έως και 750K IOPS σε τυχαίες αναγνώσεις και έως και 170K IOPS σε τυχαίες εγγραφές. Αν και σε τυχαίες αναγνώσεις υπερτερεί του Optane SSD DC P4800X της Intel, ο οποίος προσφέρει 550K IOPS, είναι σαφέστατα πιο αργός σε τυχαίες εγγραφές, με τον P4800X να προσφέρει έως και 500K IOPS. Σε σειριακή ανάγνωση και σειριακή εγγραφή, ο SZ985 επιτυγχάνει ταχύτητες έως και 3,2GB/sec. Το latency είναι ιδιαίτερα χαμηλό, από 12-20μs σε τυχαία ανάγνωση και 16μs σε τυχαία εγγραφή.

Σε σύγκριση με άλλα μοντέλα της αγοράς που χρησιμοποιούν μνήμη τύπου 3D TLC NAND και προορίζονται για τον χώρο των επιχειρήσεων, σύμφωνα με την Samsung ο νέος SZ985 είναι σαφέστατα ταχύτερος, με τις επιδόσεις για παράδειγμα σε τυχαία ανάγνωση να είναι έως και 70% υψηλότερες έναντι του PM963 NVMe SSD.

Περισσότερες πληροφορίες για τον νέο Z-SSD SZ985 αναμένεται να μάθουμε στο International Solid-State Circuits Conference, το οποίο διεξάγεται από τις 11 έως τις 15 Φεβρουαρίου. Υπάρχει και το παρακάτω PDF ( 8 Αυγούστου 2017 ) για όσους θα ήθελαν κάποιες επιπλέον πληροφορίες:  Samsung_Z-NAND_Technology_Brief_v5.pdf