Η Samsung ξεκίνησε την μαζική παραγωγή chip μνήμης κλάσης 10nm

Η Samsung ανακοίνωσε ότι ξεκίνησε να κατασκευάζει chip μνήμης κλάσης 10nm, καθώς και την κατασκευή των modules πάνω στα οποία θα τοποθετηθούν αυτά. Πρόκειται για τα πρώτα 8-gigabit (Gb) DDR4 (double-data-rate-4) DRAM chips κλάσης 10nm(νανομέτρων).

Η εταιρία αναφέρει ότι έπρεπε να ξεπεράσει αρκετά εμπόδια μέχρι να φτάσει στο σημείο να είναι σε θέση να παράγει τα νέα αυτά chip. Τα νέα chip είναι έως και 30% ταχύτερα από τα κλάσης 20nm, προσφέροντας μεταφορές δεδομένων της τάξης των 3200 megabits per second (Mbps), ενώ η κατανάλωση ενέργειας έχει μειωθεί από 10% έως 20%. 

Η μαζική παραγωγή των νέων chip μνήμης, σύμφωνα με την Samsung, σημαίνει κέρδη τόσο για την εταιρία όσο και για τον πελάτη. Σύμφωνα με το Samsung news blog, η νέα μνήμη τύπου 8Gb DDR4 DRAM κλάσης 10nm, προσφέρει αύξηση στον τομέα της παραγωγής ανά wafer έως και 30%, έναντι της μνήμης τύπου 8Gb DDR4 DRAM κλάσης 20nm. Αυτό πιθανόν σημαίνει χαμηλότερο κόστος παραγωγής για την εταιρία, το οποίο μεταφράζεται και σε χαμηλότερο κόστος αγοράς για τον πελάτη.

Η Samsung αναμένει σύντομα να ξεκινήσει την παραγωγή και υψηλότερης πυκνότητας chips μνήμης. DDR4 modules με chip κλάσης 10nm για χρήση σε laptops, dekstops και servers, και χωρητικότητες από 4GB έως και 128GB αναμένονται να γίνουν διαθέσιμες εντός του έτους.

Τέλος, να αναφέρουμε ότι όταν η Samsung αναφέρεται σε κλάσης 10nm, εννοεί μέθοδο κατασκευής από 10-19nm, ενώ όταν αναφέρεται σε κλάσης 20nm chips, εννοεί chips που κατασκευάστηκαν με μέθοδο κατασκευής από 20 έως 29nm.

Πηγή: Samsung begins mass production of 10nm class 8Gb DDR4 DRAM