Search the Community

Η μνήμη τύπου HBM προσφέρει σημαντικά πλεονεκτήματα στον τομέα της ταχύτητας, της εξοικονόμησης ενέργειας, αλλά και του απαιτούμενου χώρου που απαιτείται πάνω σε μια πλακέτα, καταλαμβάνοντας σαφέστατα μικρότερη επιφάνεια έναντι των τυπικών τσιπ μνήμης τύπου GDDR ή DDR. Η Samsung ανακοίνωσε ότι ξεκίνησε την μαζική παραγωγή της δεύτερης γενιάς μνήμης HBM2 στην οποία έχει δώσει την ονομασία "Aquabolt". Η νέα αυτή γενιά HBM2 μνήμης υπόσχεται ακόμα μεγαλύτερες ταχύτητες, έναντι της πρώτης γενιάς μνήμης HBM2 η οποία έφερε την ονομασία "Firebolt". Η HBM2 "Aquabolt" έρχεται με χωρητικότητα 8GB και ταχύτητα η οποία φτάνει τα 2,4 Gigabits ανά δευτερόλεπτο, ανά pin, καθιστώντας την, την ταχύτερη μνήμη HBM2 της αγοράς. Για την λειτουργίας της απαιτεί ρεύμα 1,2V, όσο απαιτούσε η πρώτης γενιάς μνήμη HBM2 της Samsung για ταχύτητα 1,6 Gigabits ανά δευτερόλεπτο. Ουσιαστικά έχουμε μια αύξηση επιδόσεων της τάξης του 50%, χωρίς να χρειαστεί να αυξηθεί η τάση τροφοδοσίας της HBM2. Η πρώτης γενιάς HBM2 απαιτούσε τάση 1,35V για να φτάσει στα 2 Gigabits ανά δευτερόλεπτο. Η νέα μνήμη θα επιτρέψει την δημιουργία προϊόντων, όπως κάρτες γραφικών, οι οποίες με ένα και μόνο HBM2 package θα διαθέτουν 8GB μνήμης με bandwidth το οποίο θα φτάνει τα 307 GigaBytes ανά δευτερόλεπτο. Χρησιμοποιώντας τέσσερα HBM2 packages, μπορεί να επιτευχθεί ταχύτητα της τάξης των 1,2 TeraBytes ανά δευτερόλεπτο, επιτρέποντας ακόμα υψηλότερες επιδόσεις από το σύστημα που θα την αξιοποιεί. Η Samsung υπόσχεται να συνεχίσει να βελτιώνει τις μνήμες της τύπου HBM2 και να τις παρέχει στους πελάτες της με σταθερό ρυθμό, προκειμένου να αυξήσει και το μερίδιο αγοράς της. Η εταιρία ελπίζει να τριπλασιάσει το μερίδιο της, στην αγορά μνήμης HBM2.

Η Samsung ανακοίνωσε την Τρίτη, ότι προχωράει σε αύξηση της παραγωγής μνήμης των 8 GB, 8-Hi HBM2 DRAM, λόγω αυξανόμενης ζήτησης. Στους επόμενους μήνες τα 8 GB HBM2 chips της εταιρίας αναμένεται να χρησιμοποιηθούν σε πολλά προϊόντα που απευθύνονται σε επαγγελματίες και απλούς καταναλωτές, αλλά και σε συστήματα μεγάλων εταιριών. Ο χρόνος που έρχεται αυτή η ανακοίνωση από την Samsung, πιθανόν δεν είναι τυχαίος, μιας και αυτές τις μέρες η AMD έχει ανακοινώσει νέες κάρτες γραφικών για επαγγελματίες που κάνουν χρήση μνήμης HBM2. Επιπλέον στο τέλος του μήνα και στην φετινή Siggraph θα έχουμε την ανακοίνωση και της αντίστοιχης κάρτας γραφικών που προορίζεται για τους τελικούς καταναλωτές και ειδικότερα τους gamers, της νέας RX Vega. Οι μνήμες των 8 GB HBM Gen 2 της Samsung, βασίζονται σε οκτώ 8-Gb DRAM devices τοποθετημένες σε 8-Hi stack configuration (οκτώ μνήμες η μία πάνω από την άλλη). Η διασύνδεση των μνημών γίνεται μέσω 5000 TSVs και κάθε 8 GB HBM Gen 2 μνήμη διαθέτει 1024bit data bus, με συνολικό bandwidth 256GB/sec για κάθε 8-Hi stack configuration. Οι μνήμες κατασκευάζονται με μεθόδους κατασκευής των 20nm. Οι νέες αυτές μνήμες, έρχονται να πλαισιώσουν τις ήδη διαθέσιμες 4-Hi HBM2 μνήμες των 4GB που ξεκίνησε να κατασκευάζει η εταιρία το 2016 και χρησιμοποιούνται σε προϊόντα της Nvidia. Η Samsung μέχρι στιγμής είναι η μόνη εταιρία που έχει ανακοινώσει σχέδια για μαζική παραγωγή μνημών που κάνουν χρήση 8-Hi stack configuration. Αυτό την καθιστά ως τον πιθανό προμηθευτή μνημών HBM2 για τις κάρτες γραφικών αρχιτεκτονικής Vega της AMD, παρόλο το ότι η AMD έχει συνεργαστεί με την SK Hynix για την ανάπτυξη των μνημών τύπου HBM.

Η Nvidia ανακοίνωσε την έναρξη διαθεσιμότητας της Tesla P100 η οποία είναι και η πρώτη κάρτα που χρησιμοποιεί HBM2 μνήμη, προλαβαίνοντας έτσι την AMD. Η AMD ήταν μέχρι σήμερα η μόνη εταιρία που είχε παρουσιάσει προϊόντα με μνήμη τύπου HBM, τις Fury X, Fury και Nano, οι οποίες χρησιμοποιούσαν μνήμη HBM1. Βέβαια η νέα κάρτα της Nvidia, σε αντίθεση με τις κάρτες της AMD που απευθύνονταν στο καταναλωτικό κοινό, είναι μια κάρτα επιταχυντής για χρήση σε data centers. Η Tesla P100 είχε ανακοινωθεί πέρσι μαζί με την νέα GPU, GP100, αρχιτεκτονικής Pascal. Η Tesla P100 προορίζεται για συστήματα που απαιτούν τεράστια υπολογιστική ισχύ, όπως τεχνική νοημοσύνη, πρόβλεψη των καιρικών συνθηκών, έρευνα πάνω σε νέα φάρμακα.

. Η μνήμη HBM είναι το αποτέλεσμα πολύχρονης συνεργασίας της AMD με την Hynix και αποτελεί τον σημαντικότερο διάδοχο της μνήμης GDDR5 και όπως ήδη έχουμε δει από την ενσωμάτωσή της στις κάρτες της AMD, προσφέρει πολλά και σημαντικά οφέλη, όπως υψηλότερο bandwidth, χαμηλότερο latency, χαμηλότερη κατανάλωση, ενώ επιτρέπουν και την κατασκευή μικρότερων σε μέγεθος καρτών γραφικών, καταλαμβάνοντας σημαντικά μικρότερο χώρο πάνω στην πλακέτα. Ο μόνος σημαντικός περιορισμός της πρώτης έκδοσης της μνήμης HBM, ήταν στην ποσότητα, με τα 4GB να είναι το μέγιστο που μπορούν να αξιοποιήσουν οι κάρτες της AMD που την αξιοποιούν. Ο περιορισμός των 4GB θα πάψει να υφίσταται στην δεύτερη έκδοση της HBM η οποία θα είναι σε θέση να μας δώσει προϊόντα με έως και 64GB μνήμης. H Samsung ανακοίνωσε αυτές τις μέρες ότι ξεκίνησε την μαζική παραγωγή των πρώτων 4GB DRAM βασισμένων στην τεχνολογία HBM2 με μεθόδους κατασκευής των 20nm. Η HBM2 προσφέρει διπλάσιο bandwidth έναντι αυτού που επιτυγχάνει η HBM1, καθώς και ακόμα υψηλότερη ενεργειακή απόδοση. Η παραγωγή της νέας HBM2 μνήμης θα αυξάνει σταδιακά κατά την διάρκεια του έτους με την Samsung να αναμένει να κατασκευάσει και 8GB HBM2 DRAM εντός του 2016. Η ανακοίνωση της Samsung ήρθε μόλις λίγες μέρες μετά από αυτήν της JEDEC η οποία ανανέωσε τα specifications της μνήμης HBM2. Σύμφωνα με αυτά, θα δούμε την νέα μνήμη σε διάφορες χωρητικότητες από 1GB έως 8GB ανά στοίβα, το οποίο μεταφράζεται σε κάρτες γραφικών με έως και 32GB μνήμης, ενώ το bandwidth αναμένεται να κυμαίνεται από 256GB/sec σε έως και 1024GB/sec. Παρακάτω μπορείτε να δείτε ένα πινακάκι με παραδείγματα πιθανών υλοποιήσεων μνήμης HBM2 από το videocardz, στο άρθρο του οποίου μπορείτε να βρείτε και το δελτίο τύπου της JEDEC. Η HBM2 αναμένεται να χρησιμοποιηθεί σε HPC συστήματα υπερυψηλών επιδόσεων και servers, κάρτες γραφικών, APUs, αλλά και εξοπλισμό δικτύωσης.