Jump to content

Search the Community

Showing results for tags 'nand'.



More search options

  • Search By Tags

    Type tags separated by commas.
  • Search By Author

Content Type


Categories

  • Cases Reviews
  • Heatsinks, Coolers & Watercooling Reviews
  • Input Devices & Peripherals Reviews
  • Barebones, NAS, Media Players Reviews
  • SSDs, HDDs and Controllers Reviews
  • Smartphones, Tablets and Gadgets Reviews
  • VGAs, Motherboards, CPUs & RAM Reviews
  • Power Supplies Reviews
  • Software & Games Reviews
  • Από το Εργαστήρι
  • Reviews in English

Forums

  • TheLab.gr
    • Ειδήσεις
    • Reviews
    • Από το Εργαστήρι
    • Thelab.gr Νέα και σχόλια
    • Δημοσκοπήσεις
    • Παρουσιάσεις Μελών
    • Τεχνολογικοί Προβληματισμοί
  • Talk to...
    • GearBest.com
    • Geekbuying.com
    • Coolicool.com
    • TomTop.com
  • Hardware & Overclocking
    • Intel Platform
    • AMD Platform
    • Κάρτες Γραφικών
    • Μνήμες DDR/DDR2/DDR3/DDR4
    • Αποθήκευση (HDD, SSD, NAS)
    • Κουτιά
    • Ψύξη
    • Τροφοδοτικά
    • Γενικά για Η/Υ
    • Modding & DIY
    • Μετρήσεις & Αποτελέσματα Υπερχρονισμών
  • Εργαλεία και Ιδιοκατασκευές (DIY)
    • Το στέκι του μάστορα
  • Περιφερειακά
    • Οθόνες & Projectors
    • Πληκτρολόγια και ποντίκια
    • Ήχος και Multimedia
    • 3D Εκτύπωση & CNC machines
    • Εκτυπωτές
    • Λοιπά Περιφερειακά
    • VR Technology
  • Software & Δίκτυα
    • Windows
    • Linux
    • Mac OS
    • Δίκτυα & Internet
    • Antivirus & Security
  • Gaming
    • PC Gaming
    • Steam & άλλες κοινότητες
    • Console & Handheld Gaming
  • Κινητές πλατφόρμες
    • Φορητοί υπολογιστές
    • Smartphones
    • Tablets
    • Gadgets, GPS, κτλ
    • Γενική Συζήτηση
  • Φωτογραφία κι εξοπλισμός
    • Φωτογραφικές μηχανές και λοιπά αξεσουάρ
    • Φωτογραφίες, επεξεργασία και δοκιμές
  • IT Section
    • Servers & hardware
    • Server OS & Virtualisation
    • Networking
    • Databases
    • Programming & Scripting
    • Web Development & DTP
  • Προσφορές & καταστήματα
    • Προσφορές και ευκαιρίες αγορών
    • Τι-Που-Πόσο
  • Το Παζάρι
    • Πωλήσεις
    • Ζήτηση
  • Γενική Συζήτηση
    • Off topic
    • The Jungle
    • Forum Δοκιμών
    • Αρχείο

Calendars

  • Ημερολόγιο Κοινότητας
  • Ημερολόγιο Gaming

Blogs

  • in|security
  • freesoft.gr
  • Virtual[DJD]
  • Οι αυτοματισμοί του τεμπέλη...

Find results in...

Find results that contain...


Date Created

  • Start

    End


Last Updated

  • Start

    End


Filter by number of...

Joined

  • Start

    End


Group


Skype


Website URL


Περιοχή


Ενδιαφέροντα


Επάγγελμα


Steam


Biography

Found 25 results

  1. Σύμφωνα με το DRAMeXchange οι τιμές DRAM μειώθηκαν κατά 10% το 2Q19 καθώς η προσφορά ήταν μεγαλύτερη από τη ζήτηση. Από την άλλη, οι τιμές NAND παρέμειναν σταθερές κυρίως λόγω της ζημιάς που υπέστησαν τα fabs της Toshiba εξαιτίας διακοπών ρεύματος τον Ιούνιο. Σύμφωνα με την ίδια πηγή, οι τιμές της DRAM θα συνεχίσουν να πέφτουν καθώς δεν αναμένεται κάποια διαφοροποίηση της ζήτησης για το τρίτο τρίμηνο του 2019. Σχετικά με τις τιμές NAND αναφέρθηκε ότι θα μπορούσαν να έχουν ανέβει, αλλά οι κατασκευαστές είχαν μεγάλο απόθεμα και η συγκρατημένη ζήτηση δεν επέτρεψε στις τιμές να ανέβουν από τη μείωση της παραγωγής (λόγω της ζημιάς του Ιουνίου). Για το τρίτο τρίμηνο του 2019 η ζήτηση αναμένεται να είναι επίσης μικρή λόγω της αστάθειας που υπάρχει από το αν εμπορικό πόλεμο ΗΠΑ-Κίνας.
  2. Οι Toshiba Memory και Western Digital αποκάλυψαν ότι μια ξαφνική διακοπή ρεύματος στην περιοχή Yokkaichi στην Ιαπωνία στις 15 Ιουνίου επηρέασε τις εγκαταστάσεις τους κατασκευής NAND που συστεγάζονται και συλλειτουργούν. Αυτή τη στιγμή τα εργοστάσια έχουν σταματήσει μερικώς να λειτουργούν και αναμένεται να επανέλθουν σε πλήρη λειτουργικότητα στα μέσα Ιουλίου. Η WD ανακοίνωσε ότι από τη διακοπή 13 λεπτών επηρεάστηκαν τα wafers που βρισκόντουσαν υπό επεξεργασία καθώς και ο εξοπλισμός παραγωγής. Συνεπώς, αναμένεται μια πτώση παραγωγής το τρίτο τρίμηνο του 2019 κατά τουλάχιστον 6 Exabytes! Η Toshiba δεν αποκάλυψε το μέγεθος της ζημιάς γι' αυτήν, αλλά με πρόχειρους υπολογισμούς, καθώς η Toshiba παράγει περισσότερη NAND μνήμη από την WD, εκτιμάται ότι θα χάσει περίπου 9 ΕΒ αντίστοιχα. Και οι δυο εταιρείες εκτιμούν τις ζημιές που έχει υποστεί ο εξοπλισμός τους αυτή τη στιγμή, αλλά τρίτοι αναλυτές πιστεύουν ότι τελικά το συμβάν αυτό θα επηρεάσει τις τιμές NAND, αν όχι εντός του 2019 που οι τιμές έχουν οριστεί, πιθανόν όμως στις αρχές του 2020. Περιμένουμε να δούμε αν τελικά το γεγονός (που θυμίζει τις πλημμύρες του 2011 στα εργοστάσια παραγωγής HDD) θα προκαλέσει έλλειψη σε NAND flash στην αγορά και συνεπώς αύξηση τιμών ή όχι.
  3. Ευχάριστα τα νέα για όσους σκοπεύουν να αγοράσουν στο μέλλον κάποιο σύστημα ή απλά μνήμες και SSDs. Τα τελευταία νέα θέλουν την τάση που υπάρχει τον τελευταίο χρόνο στους SSDs και τις μνήμες, να συνεχίζεται και για το 2019. Οι αναφορές από το DRAMeXchange συνεχίζουν να είναι ευνοϊκές, όπως οι προηγούμενες (1, 2)που μιλούσαν για μειώσεις τιμών στις μνήμες, αλλά και στην NAND flash η οποία χρησιμοποιείται σε προϊόντα όπως οι SSDs και οι κάρτες microSD. Οι τελευταίες προβλέψεις κάνουν λόγω για σημαντικές μειώσεις στις τιμές των μνημών DRAM και NAND μέσα στους επόμενους μήνες. Επιβεβαιώνεται ξανά η πρόβλεψη για 5% ή και παραπάνω μείωση στις τιμές των μνημών για το τελευταίο τρίμηνο του 2018, αλλά το πλέον σημαντικό είναι η πρόβλεψη για μείωση της τάξης του 15-20% μέσα στο 2019. Στην περίπτωση της NAND, η πτώση της τιμής της για το τέταρτο τρίμηνο του 2018 θα φτάσει ή και να ξεπεράσει το 15%. Στο τρίτο τρίμηνο η πτώση κινήθηκε περίπου στο 10%. Οι λόγοι για την πτώση στην τιμή των μνημών είναι ήδη γνωστοί και έχουν να κάνουν τόσο με την απουσία νέων καινοτομιών στην αγορά των smartphones, που θα ήταν ικανή να οδηγήσει τους αγοραστές στην αγορά νέων συσκευών, αλλά και στα προβλήματα της Intel που αναμένεται να επηρεάσουν αρνητικά τις πωλήσεις server, σταθερών και φορητών ηλεκτρονικών υπολογιστών. Επιπλέον οι βελτιώσεις στην παραγωγή των μνημών με νέες μεθόδους παραγωγής, έχουν οδηγήσει σε αύξηση του συνόλου της παραγωγής. Στην αγορά των SSDs παρατηρείται έντονος ανταγωνισμός μεταξύ των κατασκευαστών SSDs, σε συνδυασμό με χαμηλή ζήτηση για ηλεκτρονικές συσκευές που χρησιμοποιούν μνήμη NAND. Εξαίρεση αποτελεί η αγορά των enterprise SSDs που παραμένει σταθερή για την ώρα, αλλά αναμένεται να έχουμε και σε αυτήν αύξηση της έντασης του ανταγωνισμού μέσα στο 2019, που θα οδηγήσει σε μειώσεις τιμών και σε αυτή την κατηγορία προϊόντων. Σε συνδυασμό με την αύξηση παραγωγής, τόσο λόγω αύξησης της παραγωγικής ικανότητας των εργοστασίων, όσο και βελτίωσης στις μεθόδους παραγωγής των νέων 3D NAND 64 και 72 επιπέδων, αναμένεται οι τιμές των SSDs να μειωθούν κατά 25-30% μέσα στο 2019.
  4. Στις αρχές της εβδομάδας η Intel και η Micron, ανακοίνωσε την κατασκευή και αποστολή των πρώτων τσιπ μνήμης τύπου QLC 3D NAND. Η μνήμη τύπου QLC 3D NAND επιτρέπει την αποθήκευση 4bit πληροφορίας σε κάθε 3D NAND cell, το οποίο μεταφράζεται σε 33% μεγαλύτερη χωρητικότητα έναντι της TLC 3D NAND μνήμης. Αυτό δεδομένα θα οδηγήσει σε SSDs μεγαλύτερης χωρητικότητας. Η νέα QLC 3D NAND, βασίζεται σε 3D NAND chip μνήμης δεύτερης γενιάς των 64 επιπέδων. Πρόκειται για τα πρώτα τσιπ μνήμης flash με χωρητικότητα 1Tb(terabit). Το πρώτο προϊόν στο οποίο θα αξιοποιηθεί η νέα μνήμη, είναι ο SATA SSD 5210 ION. Το μοντέλο αυτό το οποίο εντάσσεται στην κατηγορία SSD για επιχειρήσεις, θα προωθείται ως μια πιο οικονομική επιλογή με μειωμένες επιδόσεις τόσο στην εγγραφή όσο και στην αντοχή. Αυτό οφείλεται στο γεγονός ότι η μνήμη QLC έχει χαμηλότερο P/E(program/erase cycles), έναντι της TLC, αλλά και χαμηλότερες ταχύτητες εγγραφής. Για το λόγο αυτό η Micron προτείνει το 5210 ION να μην χρησιμοποιηθεί σε περιπτώσεις όπου ο SSD γεμίζει συνεχώς με νέα δεδομένα, π.χ. video recording, αλλά για εργασίες όπου το 90% αυτών είναι ανάγνωση. Η Micron έχει ήδη ξεκινήσει να αποστέλλει το μοντέλο 5210 ION σε επιλεγμένους πελάτες της, σε χωρητικότητες από 1.92 TB έως και 7.68 TB. Οι δύο εταιρίες πάντως σκοπεύουν να συνεχίσουν παράλληλα την ανάπτυξη μνημών TLC 3D NAND και ειδικότερα μνήμες TLC 3D NAND μνήμης τρίτης γενιάς των 96 επιπέδων. Οι μνήμες αυτές θα προσφέρουν ακόμα υψηλότερες χωρητικότητες έναντι των νέων QLC 3D NAND, με το επόμενο βήμα πάντως να είναι μνήμες QLC 3D NAND των 96 επιπέδων.
  5. Αν σκέφτεστε να αγοράσετε κάποιον νέο SSD, ίσως αυτή εδώ η περίοδος και οι επόμενοι μήνες να είναι και η καλύτερή σας ευκαιρία. Οι τιμές των μνημών NAND flash αναμένεται να συνεχίσουν να πέφτουν για λίγο καιρό ακόμα, αλλά κατά το δεύτερο μισό του 2018 αναμένεται σταθεροποίησή τους, χωρίς να αποκλείεται και κάποια μικρή ανάκαμψη. Έναν χρόνο πριν οι τιμές των προϊόντων που χρησιμοποιούσαν μνήμες NAND Flash, όπως οι SSDs, είχαν ήδη παρουσιάσει σημαντική αύξηση λόγω της αδυναμίας να καλυφθεί η αυξημένη ζήτηση. Οι εκτιμήσεις τότε ήταν ότι τα πράγματα θα βελτιώνονταν στο πρώτο μισό του 2018, κάτι που επιβεβαιώθηκε με την πτώση στις τιμές των SSDs μέσα στους τελευταίους μήνες. Μπορείτε να δείτε τα παρακάτω χαρακτηριστικά παραδείγματα μοντέλων που βρίσκονται στην αγορά από πριν ξεκινήσει η άνοδος των τιμών. Σύμφωνα με την DRAMeXchange, το κομμάτι της TrendForce που ειδικεύεται σε θέματα μνημών, οι τιμές των μνημών NAND flash αναμένεται να συνεχίσουν να μειώνονται, τουλάχιστον για λίγο καιρό ακόμα, εξαιτίας της υπερβολικής παραγωγής, η οποία υπερκαλύπτει την ζήτηση. Στο δεύτερο μισό του 2018 όμως, αναμένεται να παρουσιαστεί αύξηση της ζήτησης, μιας και θεωρείται περίοδος αιχμής. Η αύξηση αυτή θα ενισχυθεί και λόγο των ήδη χαμηλών τιμών, αλλά και της αύξησης του αποθηκευτικού χώρου στα νέα smartphones. Αυτό σε συνδυασμό με την καθυστέρηση των σχεδίων επέκτασης των γραμμών παραγωγής κάποιων κατασκευαστών, για το 2019, αναμένεται να οδηγήσει σε εξισορρόπηση μεταξύ παραγωγής και ζήτησης και σε σταθεροποίηση των τιμών.
  6. Σύμφωνα με μια ανάρτηση σε blog του Rob Crooke, Ανώτερου Αντιπρόεδρου και Γενικού Διευθυντή του ομίλου Non-Volatile Memory Solutions της Intel, η εταιρία σκοπεύει να επεκτείνει το εργοστάσιό της στην Νταλιάν της Κίνας, το οποίο λειτουργεί από το 2010, με σκοπό να κατασκευάζει την δική της 3D NAND flash, αλλά και την νέα επαναστατική 3D Xpoint. . Η Intel έχει αποχωρήσει από την κατασκευή μνήμης εδώ και 30 χρόνια, από το 1985, λόγω αυξημένου ανταγωνισμού. Το εργοστάσιο στην Νταλιάν ήταν επιφορτισμένο με την κατασκευή ολοκληρωμένων σε παλιότερες τεχνολογίες κατασκευής, τουλάχιστον δύο γενιές πιο πίσω, από την κορυφαία μέθοδο κατασκευής που χρησιμοποιείται σήμερα. Αυτή την στιγμή χρησιμοποιεί μεθόδους κατασκευής των 65nm. Η Intel σκοπεύει να προχωρήσει σε δραστικές αλλαγές στο εργοστάσιο, έτσι ώστε να είναι σε θέση να κατασκευάσει κορυφαίας τεχνολογίας non-volatile τύπους μνήμης. Η Intel αυτή τη στιγμή συνεργάζεται με την Micron για την κατασκευή NAND μνήμης. Το 2006 δημιούργησαν από κοινού την IMFT για αυτό το σκοπό και αν και η Intel ισχυρίζεται ότι η κίνησή της έχει να κάνει με την στρατηγική της να έχει πολλαπλές πηγές από όπου θα προμηθεύεται non-volatile μνήμη για τα προϊόντα της, τίθεται θέμα με την βιωσιμότητα της IMFT. Οι δύο εταιρίες, Intel και Micron, θα πρέπει να επανεπιβεβαιώσουν την επιθυμία τους να συνεχίσουν να συνεργάζονται το 2017. Αν δεν συμβεί αυτό, τότε πιθανόν θα είναι και το τέλος της συνεργασίας μεταξύ Intel και Micron και άρα και της IMFT. Πάντως ο Rob Crooke ανέφερε ότι η συνεργασία ανάμεσα στις δύο εταιρίες παραμένει ισχυρή. Περισσότερες λεπτομέρειες μπορείτε να διαβάσετε στο άρθρο του Tom's Hardware, του οποίου το link παρέχεται και στην πηγή, ενώ όσον αφορά την 3D Xpoint, σας είχαμε γράψει σχετικά πριν λίγους μήνες εδώ. Κάντε κλικ εδώ για να δείτε το άρθρο
  7. . Η Intel έχει αποχωρήσει από την κατασκευή μνήμης εδώ και 30 χρόνια, από το 1985, λόγω αυξημένου ανταγωνισμού. Το εργοστάσιο στην Νταλιάν ήταν επιφορτισμένο με την κατασκευή ολοκληρωμένων σε παλιότερες τεχνολογίες κατασκευής, τουλάχιστον δύο γενιές πιο πίσω, από την κορυφαία μέθοδο κατασκευής που χρησιμοποιείται σήμερα. Αυτή την στιγμή χρησιμοποιεί μεθόδους κατασκευής των 65nm. Η Intel σκοπεύει να προχωρήσει σε δραστικές αλλαγές στο εργοστάσιο, έτσι ώστε να είναι σε θέση να κατασκευάσει κορυφαίας τεχνολογίας non-volatile τύπους μνήμης. Η Intel αυτή τη στιγμή συνεργάζεται με την Micron για την κατασκευή NAND μνήμης. Το 2006 δημιούργησαν από κοινού την IMFT για αυτό το σκοπό και αν και η Intel ισχυρίζεται ότι η κίνησή της έχει να κάνει με την στρατηγική της να έχει πολλαπλές πηγές από όπου θα προμηθεύεται non-volatile μνήμη για τα προϊόντα της, τίθεται θέμα με την βιωσιμότητα της IMFT. Οι δύο εταιρίες, Intel και Micron, θα πρέπει να επανεπιβεβαιώσουν την επιθυμία τους να συνεχίσουν να συνεργάζονται το 2017. Αν δεν συμβεί αυτό, τότε πιθανόν θα είναι και το τέλος της συνεργασίας μεταξύ Intel και Micron και άρα και της IMFT. Πάντως ο Rob Crooke ανέφερε ότι η συνεργασία ανάμεσα στις δύο εταιρίες παραμένει ισχυρή. Περισσότερες λεπτομέρειες μπορείτε να διαβάσετε στο άρθρο του Tom's Hardware, του οποίου το link παρέχεται και στην πηγή, ενώ όσον αφορά την 3D Xpoint, σας είχαμε γράψει σχετικά πριν λίγους μήνες εδώ.
  8. Η Intel και η Micron ανακοίνωσαν μια νέα επαναστατική μνήμη, η οποία θα είναι έως και 1000 φορές ταχύτερη της NAND, έως και 1000 φορές μεγαλύτερης αντοχής έναντι της NAND και επιπλέον θα προσφέρει 10 φορές μεγαλύτερη πυκνότητα έναντι της συμβατικής μνήμη DRAM που έχουμε στα συστήματά μας. Η μνήμη αυτή ονομάζεται 3D Xpoint(προφέρεται 3D crosspoint) και πρόκειται για non volatile μνήμη, δηλαδή μνήμη η οποία διατηρεί τα δεδομένα της και χωρίς ρεύμα. Στην παρουσίαση της, οι εκπρόσωποι των δύο εταιριών χαρακτήρισαν την 3D Xpoint ως την σημαντικότερη ανακοίνωση νέας τεχνολογίας στον τομέα της μνήμης, μετά αυτής της NAND, το 1989. . Η 3D Xpoint αποτελεί έναν εντελώς νέο τύπο μνήμης, δεν είναι δηλαδή απλά κάποια νέα NAND ή κάποια νέα DRAM, μιας και λειτουργεί εντελώς διαφορετικά έναντι οτιδήποτε είναι διαθέσιμου σήμερα. Πρόκειται για μια νέα μνήμη η οποία κατασκευάζεται με αρχιτεκτονική τριών διαστάσεων και επιπλέον χρησιμοποιεί έναν διαφορετικό τύπου διακόπτη, έναντι του κλασικού τρανζίστορ. Η νέα αυτή μνήμη έρχεται να συνδυάσει όλα τα πλεονεκτήματα των διαφόρων τύπων μνημών που υπάρχουν στην αγορά σήμερα, σε έναν τύπο μνήμης. Η νέα αυτή μνήμη αναμένεται να δώσει την δυνατότητα σε μεγάλο μέρος δεδομένων να είναι προσβάσιμα σε υψηλότερες ταχύτητες και με σημαντικά χαμηλότερο latency από τον επεξεργαστή του συστήματος, επιτρέποντας την real time ανάλυση τους. Αυτός είναι και ο λόγος που αρχικά η μνήμη αναμένεται να υιοθετηθεί αρχικά από μεγάλες εταιρίες που λειτουργούν online ή σε συστήματα που χρησιμοποιούνται σε ιατρικές έρευνες, που απαιτούν γρήγορη πρόσβαση σε μεγάλο όγκο δεδομένων. Η 3D Xpoint αναμένεται να χρησιμοποιηθεί και για αποθήκευση δεδομένων σε φορητές συσκευές ή γενικότερα για δημιουργία νέων μέσων αποθήκευσης. Η μνήμη ήδη κατασκευάζεται στο κοινό εργοστάσιο των δύο εταιριών της IM Flash Technologies την οποία από κοινού ίδρυσαν το 2006, αλλά όπως ανακοινώθηκε, οι δύο εταιρίες θα κατασκευάζουν την 3D Xpoint μνήμη και σε δικά τους ξεχωριστά εργοστάσια. Η Intel και η Micron δεν σκοπεύουν να αδειοδοτήσουν την μνήμη σε άλλους κατασκευαστές. Αντίθετα θα κατασκευάσουν τις δικές τους ξεχωριστές σειρές προϊόντων. Τα πρώτα δείγματα της μνήμης αναμένεται να είναι διαθέσιμα σε επιλεγμένους συνεργάτες των δύο εταιριών πριν το τέλος του χρόνου. Προϊόντα που θα αξιοποιούν την 3D Xpoint μνήμη θα είναι διαθέσιμα το 2016. Κάντε κλικ εδώ για να δείτε το άρθρο
  9. . Η 3D Xpoint αποτελεί έναν εντελώς νέο τύπο μνήμης, δεν είναι δηλαδή απλά κάποια νέα NAND ή κάποια νέα DRAM, μιας και λειτουργεί εντελώς διαφορετικά έναντι οτιδήποτε είναι διαθέσιμου σήμερα. Πρόκειται για μια νέα μνήμη η οποία κατασκευάζεται με αρχιτεκτονική τριών διαστάσεων και επιπλέον χρησιμοποιεί έναν διαφορετικό τύπου διακόπτη, έναντι του κλασικού τρανζίστορ. Η νέα αυτή μνήμη έρχεται να συνδυάσει όλα τα πλεονεκτήματα των διαφόρων τύπων μνημών που υπάρχουν στην αγορά σήμερα, σε έναν τύπο μνήμης. Η νέα αυτή μνήμη αναμένεται να δώσει την δυνατότητα σε μεγάλο μέρος δεδομένων να είναι προσβάσιμα σε υψηλότερες ταχύτητες και με σημαντικά χαμηλότερο latency από τον επεξεργαστή του συστήματος, επιτρέποντας την real time ανάλυση τους. Αυτός είναι και ο λόγος που αρχικά η μνήμη αναμένεται να υιοθετηθεί αρχικά από μεγάλες εταιρίες που λειτουργούν online ή σε συστήματα που χρησιμοποιούνται σε ιατρικές έρευνες, που απαιτούν γρήγορη πρόσβαση σε μεγάλο όγκο δεδομένων. Η 3D Xpoint αναμένεται να χρησιμοποιηθεί και για αποθήκευση δεδομένων σε φορητές συσκευές ή γενικότερα για δημιουργία νέων μέσων αποθήκευσης. Η μνήμη ήδη κατασκευάζεται στο κοινό εργοστάσιο των δύο εταιριών της IM Flash Technologies την οποία από κοινού ίδρυσαν το 2006, αλλά όπως ανακοινώθηκε, οι δύο εταιρίες θα κατασκευάζουν την 3D Xpoint μνήμη και σε δικά τους ξεχωριστά εργοστάσια. Η Intel και η Micron δεν σκοπεύουν να αδειοδοτήσουν την μνήμη σε άλλους κατασκευαστές. Αντίθετα θα κατασκευάσουν τις δικές τους ξεχωριστές σειρές προϊόντων. Τα πρώτα δείγματα της μνήμης αναμένεται να είναι διαθέσιμα σε επιλεγμένους συνεργάτες των δύο εταιριών πριν το τέλος του χρόνου. Προϊόντα που θα αξιοποιούν την 3D Xpoint μνήμη θα είναι διαθέσιμα το 2016.
  10. Που είναι το unreal tournament, οεο;
  11. <div align="justify"> <img src="http://www.thelab.gr/gallery3/var/albums/News/News-Icons/icon-sandforce.png?m=1286451218" align="left" hspace="8" vspace="8" alt="" border="0"/> Ενώ οι SSD που είναι εξοπλισμένοι με single-level cell (SLC) NAND flash απευθύνονται πλέον σε επιχειρήσεις, λόγω του υψηλού κόστους και της αντοχής σε εγγραφές (εκτός των cache SSDs χαμηλής χωρητικότητας), μία εταιρεία καταβάλει προσπάθειες για να τους επαναφέρει στην αγορά των PC enthusiasts. Η SuperSSpeed παρουσίασε τους νέους SSD της, ​​εκμεταλλευόμενη το γεγονός ότι ο ελεγκτής SandForce SF-2281 υποστηρίζει SLC NAND flash, τους εξόπλισε με Intel 25nm SLC NAND flash, και τους διέθεσε σε χωρητικότητες που έχουν πέραση στην αγορά προσωπικών υπολογιστών: 60 GB και 120 GB. Η έκδοση των 120GB χρησιμοποιεί εξελιγμένα 128 Gbit SLC NAND flash chips, ενώ η έκδοση των 60 GB χρησιμοποιεί ώριμα πλέον 64 Gbit chips. Χάρη στην τεχνική του overprovisioning (οι SSD έχουν περισσότερη NAND flash από αυτή που βλέπει ο χρήστης) της SandForce, οι δίσκοι δεν έχουν εξωτερική DRAM cache. To Expreview δοκίμασε εξονυχιστικά τους νέους αυτούς SSD, και κατέληξε στο συμπέρασμα ότι είναι οι καλύτεροι SSD στον τομέα της ταχύτητα μεταφοράς δεδομένων και τυχαίας προσπέλασης. Δεν χρειάζεται να αναφέρουμε ότι από σχεδιασμού τους, λόγω των SLC flash, αυτοί οι SSD έχουν υψηλότερη αντοχή εγγραφής. Παρακάτω μπορούμε να δούμε τις απίστευτες επιδόσεις που προσφέρουν οι νέοι SSD της SuperSSpeed: Πηγές : techPowerUpEXPreview
  12. <div style="float:left"><img src="http://www.thelab.gr/gallery3/var/albums/News/News-Icons/icon_samsung_PROPER.png?m=1284740049" width="130" height="129" alt=""/></div>Η Samsung ανακοίνωσε ότι ανέπτυξε ένα ταχύτατο chip χωρητικότητας 64GB, το οποίο προορίζεται για χρήση σε smartphones και tablets. Η ενσωματωμένη κάρτα πολυμέσων (e-MMC) χρησιμοποιεί μία στοίβα από οκτώ chip μνήμης Flash και τύπου NAND των 64GB, κατασκευασμένα στα 20nm και τύπου διεπαφής DDR2. Το πάχος τους είναι 1.4mm, ενώ το βάρος τους 0.6 γραμμάρια. "Ξεκινώντας αυτό το χρόνο την παραγωγή των chip χωρητικότητας 64GB, βασισμένα στην υλοποίηση e-MMC, επιταχύνουμε το ρυθμό υιοθέτησης ενσωματωμένων chip μνήμης υψηλής ποιότητας," ανέφερε χαρακτηριστικά σε ανακοίνωσή του ο Myung Ho Kim, αντιπρόεδρος του τμήματος προώθησης μνημών της Samsung. Σύμφωνα με την εταιρεία, η μνήμη υποστηρίζει διαδοχικές ταχύτητες ανάγνωσης έως και 80 MB/s, όπως και διαδοχικές ταχύτητες εγγραφής της τάξης των 40 MB/s. Οι επιδόσεις αυτές είναι τριπλάσιες των μνημών σημερινής γενιάς. Τέλος οι επιδόσεις εισόδου/εξόδου θα κυμαίνονται στα 400 IOPS. Πηγή: Tom's Hardware
  13. <div style="float:left"><img src="http://www.thelab.gr/gallery3/var/albums/News/News-Icons/icon_samsung_PROPER.png?m=1284740049" width="130" height="129" alt=""/></div>Λιγότερο από ένα έτος είναι από τότε που η Samsung και η Toshiba ανέπτυξαν τα τσιπ μνήμης NAND flash εναλλαγής DDR2 και τώρα η πρώτη ανακοίνωσε ότι ξεκίνησε την παραγωγή της εν λόγω λύσης, ένα 64Gb (8GB) MLC (multi-level cell) NAND chip με συνδεσιμότητα DDR2. Κατασκευασμένο με την τεχνολογία των 20nm, το NAND τσιπ των 64Gb έχει εύρος 400 Mbps (τα σημερινά SDR NAND αγγίζουν τα 40 Mbps ενώ εκείνα τα DDR1 αγγίζουν τα 133 Mbps) και είναι η κατάλληλη λύση για τα αποδοτικά smartphones, tablets αλλά και για τους solid state drives (SSDs). Σύμφωνα με την Samsung, τα τσιπ είναι ήδη διαθέσιμα, και επιτρέπουν 50% αύξηση της παραγωγικότητας για τα MLC NAND chips των 20nm χωρητικότητας 32Gb με περιβάλλον διεπαφής DDR 1.0. Περισσότερες πληροφορίες για τις Toggle DDR NAND μπορείτε να βρείτε εδώ. thanks felix Πηγή:techpowerup
  14. <div style="float:left"><img src="http://www.thelab.gr/gallery3/var/albums/News/News-Icons/icon_imflashtech.png?m=1302891433" width="130" height="129" alt=""/></div>Η IM Flash Technologies, η συνεργασία των Intel και Micron η οποία έχει στόχο τις NAND Flash λύσεις, άνοιξε τις επιχειρήσεις της στην Σιγκαπούρη και ανακοίνωσε επίσημα πως ξεκίνησε η κατασκευή των NAND μνημών αρχιτεκτονικής 25nm. Αυτή η επιχείριση των τριών δισεκατομμυρίων δολαρίων θα δώσει εργασία σε 1.200 ανθρώπους κατά την πλήρη παραγωγή. "Μέσα σε πέντε χρόνια, οι Intel και Micron συνεργάστηκαν επιτυχώς για να γίνουν οι πρωτοπορεί στις NAND Flash μνήμες", δήλωσε ο Steve Appleton, Πρόεδρος και Διευθύνων Σύμβουλος της Micron. "Η δημιουργία της IM Flash Singapore σηματοδοτεί άλλο ένα σημαντικό ορόσημο στην εταιρική μας σχέση και συμπληρώνει τις επιχειρήσεις της Micron στην Σιγκαπούρη." Η IMFT έχει επιπλέον δύο τοποθεσίες κατασκευής, στην Lehi της Utah και στο Manassas της Virginia (και οι δύο είναι στην Αμερική). Πηγή:tcmagazine
  15. <div style="float:left"><img src="http://www.thelab.gr/gallery3/var/albums/News/News-Icons/icon_onfi.png?m=1300435345" width="130" height="129" alt=""/></div>Το Open NAND Flash Interface (ONFI) Working Group παρουσίασε σήμερα την νέα έκδοση του προτύπου ONFI για μνήμες τύπου NAND Flash. Ο λόγος για το ONFI 3.0, το οποίο επιτρέπει ταχύτητες έως και 400 MB/s, διπλάσιες από εκείνες που είναι διαθέσιμες στο τρέχον πρότυπο (ONFI 2.x). Εκτός από την βελτίωση της ταχύτητας, το οποίο επιτυγχάνεται από την χρήση μη πτητικής DDR2 (NV-DDR2) διεπαφής, το ONFI 3.0 μειώνει τον αριθμό των επιτρεπόμενων πιν ανά τσιπ, με αποτέλεσμα την μείωση του κόστους και στους κατασκευαστές αλλά και στους καταναλωτές. Μελλοντικές ενημερώσεις του ONFI 3.0 θα υποστηρίζει περιβάλλον διεπαφής ECC Zero (EZ-NAND), το οποίο αφαιρεί το "βάρος" από τον host controller να συμβαδίζει με τις ταχέως μεταβαλλόμενες απαιτήσεις ECC της τεχνολογίας NAND. Όπως και οι προκάτοχοί του, έτσι και το ONFI 3.0 είναι συμβατό προς τα πίσω αλλά μην περιμένετε να είναι άμεσα διαθέσιμο καθώς οι κατασκευαστές πρέπει πρώτα να το υιοθετήσουν. Η SandForce για παράδειγμα υποσχέθηκε να διαθέσει ελεγκτές που να υποστηρίζουν πλήρως το ONFI 3.0 μέσα στο 2012. Πηγή: onfi
  16. <div align="justify"> <img src="http://www.thelab.gr/attachment.php?attachmentid=40603&stc=1&d=1283075731" align="left" hspace="8" vspace="8" alt=""/>Η Viking Modular Solutions ανακοίνωσε πρόσφατα μια συσκευή η οποία βασίζεται σε NAND μνήμη τύπου Flash. Ο λόγος για τον δίσκο στερεής κατάστασης SATADIMM ο οποίος είναι σε μορφή μνήμης DDR3 240-pin και μπορεί να χρησιμοποιηθεί στα κενά DDR3 slots των Servers, παρέχοντας έτσι μια εξαιρετικά γρήγορη αποθήκευση. Σύμφωνα με τον κατασκευαστή του, ο SATADIMM χρησιμοποιεί SLC μνήμη για τις εκδόσεις από 25GB έως 200GB και MLC/eMLC για τις εκδόσεις από 50GB έως 400GB, έχει υποστήριξη TRIM, χρησιμοποιεί μια λειτουργία για την προστασία των δεδομένων κατά την απότομη διακοπή τροφοδοσίας, ενσωματωμένη κρυπτογράφηση AES-128, ταχύτητες ανάγνωσης και εγγραφής που αγγίζουν τα 260 MB/s και 30.000 IOPS για τυχαία ανάγνωση και εγγραφή. Ο SATADIMM προς το παρόν κατασκευάζεται σε χωρητικότητες των 50GB, 100GB και 200GB. </div> Πηγή:vikingmodular
  17. Σε περίπτωση που ενδιαφέρεστε για usb stick με τεχνολογία NAND, η Transcend έχει κάτι νέο για εσάς, τη νέα σειρά V της οικογενείας JetFlash 500 των flash drives. Το 500s έχει διαστάσεις 63,1 x 21 x 8,8 χιλιοστά και βάρος περίπου 10 γραμμάρια, έρχεται σε 2, 4, 8, 16 και 32GB χωρητικότητα, διαθέτει σχεδιασμό χωρίς καπάκι, σύνδεση USB και είναι ανθεκτικό σε κρούσεις. Διαθέτει ταχύτητες ανάγνωσης και εγγραφής μέχρι 32 MB / s και 18 MB / s, αντίστοιχα (προδιαγραφές του μοντέλου 32GB, τα υπόλοιπα είναι πιο αργά - 14/20 MB / s ανάγνωση και 4/5/6 MB / s γραφή). Τα JetFlash 500 που υποστηρίζονται από δια βίου εγγύηση και είναι καθοδόν και αναμένονται στα καταστήματα πολύ σύντομα. [ΠΗΓΗ]
  18. <div align="justify"> <img src="http://www.thelab.gr/gallery3/var/albums/News/News-Icons/icon-buffalo.png" align="left" hspace="8" vspace="8" alt=""/> Πριν το τέλος του 2009, η Buffalo αποσκοπεί στην εισαγωγή των πρώτων μελών στην νέα της σειρά SHD-NSUH SSD's. Η νέα φανταχτερή οικογένεια περιλαμβάνει τέσσερις μονάδες δίσκου που έχουν μέγεθος 2.5", διαθέτουν MLC (multi-level cell) NAND τσιπ μνήμης Flash, 64MB μνήμης cache, SATA 3.0 Gbps και USB συνδεσιμότητα, υποστήριξη TRIM, και έχουν μετρηθεί ταχύτητες μεταφοράς μέχρι και 186,6 MB/s. Οι SHD-NSUH δίσκοι στερεής κατάστασης της Buffalo των 32, 64, 128 και 256 GB κοστολογούνται στα 253 δολάρια, 369 δολάρια, 637 δολάρια και 1.161 δολάρια, αντίστοιχα. Τα μοντέλα των 64GB και 128GB θα είναι διαθέσιμα (στην Ιαπωνία) αυτή την εβδομάδα, ενώ αυτό των 32GB θα κάνουν το ντεμπούτο τους στα τέλη του Ιανουαρίου και αυτό των 256 GB θα έρθει περίπου στα τέλη Μαΐου 2010. <img src="http://www.thelab.gr/gallery3/var/albums/News/news-images/Buffalo_SHD-NSUH_SSD_01.jpg" alt=" "> </div> <div align=right><a href="http://tcmagazine.com/comments.php?shownews=31700&catid=2" target="_blank"> Πηγή: tcmagazine</a></div>
  19. προσπαθω να εκγαταστισω ενα σχεδιαστικο προγραμμα το catia x64 αλλα σε καποια φαση τισ εκγαταστασης μου ζηταει το java home path και δεν εχω ιδεα τι ειναι. Μπορει καποιοσ να με βοηθισει?
  20. Μια αρκετά γνωστή εταιρεία στον χώρο των μνημών και SSD δίσκων, η A-Data, αποφάσισε να εισάγει στην αγορά μια νέα σειρά Solid State Drives των 2,5 ιντσών, την S592. Βγαίνοντας στις χωρητικότητες των 32, 64, 128 και 256 GB, οι νέοι δίσκοι έχουν SATA 3,0 Gbps interface, φορητή onboard SDRAM (πιθανότατα 64 MB) που λειτουργεί σαν cache, MLC (Multi-Level Cell) NAND flash memory chips, με read και write ταχύτητες που φτάνουν τα 250 και 170 MB/s αντίστοιχα (με 230/150 MB/s για τις εκδόσεις των 32 και 64 GB). Η S592 οικογένεια έρχεται με διετή εγγύηση, ενώ έχει ήδη αρχίσει να κάνει την εμφάνιση της στα καταστήματα, με τις 32, 64 και 128 GB εκδόσεις να κοστολογούνται γύρω στα 122, 172 και 317 ευρώ αντίστοιχα. Πηγή: TechConnect Magazine
  21. <div align="justify"> <img src="http://www.thelab.gr/picture.php?albumid=197&pictureid=2943" align="left" hspace="8" vspace="8" alt=""/> H Samsung, ο νούμερο ενα κατασκευαστής flash chip ξεκίνησε τον δειγματισμό ενός καινούργιου μέσου αποθήκευσης βασισμένου σε NAND chips. Τα καινούργια drives είναι πολύ ανθεκτικά κάνοντας τους SSD λιγότερο ευάλωτους σε ζημιές απο πεσίματα. Θα είναι διαθέσιμοι σε χωρητικότητες των 16, 32 και 64Gb οι καινούργιοι mini-drive ssd θα ζυγίζουν μόλις 8,5 γραμμάρια, σχεδόν 80% μικρότεροι απο δίσκους των 2.5 ιντσών. Καταλαμβάνοντας μια θύρα mini-PCI Express (PCIe) και αξιοποιώντας SATA 3.0 Gbps είναι εξοπλισμένοι με 16GB Multi Level Cell Nand Flash memory chips στην αρχιτεκτονική των 40nm φτάνοντας ταχύτητες ανάγνωσης και εγραφής στα 200MB/sec και 100MB/sec. Οι νέοι SSD λέγεται οτι καταναλώνουν 0.3W και έχουν μέση διάρκεια ζωής 1 εκατομμύριο ώρες. Όλα θα κριθούν απο την τιμή κυκλοφορίας τους καθώς οι καινούργιοι SSD είναι οτι καλύτερο για ενα λεπτό και γρήγορο netbook. </div> <div align=right><a href="http://www.tcmagazine.com/comments.php?shownews=27412&catid=2" target="_blank"> Πηγή: TechConnect Magazine</a></div>
  22. Η Toshiba, ο δεύτερος μεγαλύτερος κατασκευαστής flash memory παγκοσμίως, ανακοίνωσε μόλις την περασμένη Δευτέρα πως θα ξεκινήσει την αποστολή NAND flash memory προϊόντων με χωρητικότητα 32 Gb (Giga-bit), τα οποία θα είναι κατασκευασμένα με τεχνολογία των 32 nm. Η εφαρμογή της προχωρημένης τεχνολογίας των 32 nm αναμένεται να μειώσει ακόμη περισσότερο το μέγεθος του chip, επιτρέποντας στην εταιρεία να αυξήσει την παραγωγικότητα και να φέρει περεταίρω εμπλουτισμούς σε προϊόντα υψηλής πυκνότητας και μικρού μεγέθους. Δείγματα της πρώτης παγκοσμίως γενιάς προϊόντων με chips των 32 nm, θα έχουν τις χωρητικότητες των 16 και 32 Gb (2 και 4 Giga-Byte αντίστοιχα) και θα είναι διαθέσιμα τον ερχόμενο Ιούλιο στην Ιαπωνία - δύο μήνες νωρίτερα δηλαδή από την προγραμματισμένη έκδοση τους. Τα 32 Gb chips, με τη μαζική παραγωγή τους να ξεκινάει τον Ιούλιο (αυτά των 16 Gb θα ξεκινήσουν μέσα στο τρίτο τετράμηνο του 2009), αρχικά θα χρησιμοποιηθούν σε memory cards και μνήμες USB και στη συνέχεια θα επεκταθούν στην αγορά των embedded προϊόντων. Έτσι, με την ενσωμάτωση των multi-level cell τεχνολογιών και μέσω συνεχών προόδων στην παραγωγικότητα, η Toshiba σκοπεύει να αυξήσει την ανταγωνιστικότητα της στον τομέα της κατασκευής μνημών. Πηγή: Xbit Labs
  23. Θα ήθελα να ρωτήσω, για να μπορέσει να συνδεθεί με το pc μου το mio p560 μεσω wifi ( έχω wifi card και bridged connection me την συνδεση στο router) πρέπει να ρυθμίσω ποιούς απο τους "ΠΡΟΣΑΡΜΟΓΕΙΣ" στο μενού του mio? Έχει μια λίστα απο τους εξής: AsyncMc NDISWAN MINIPORT L2TP NDISWAN Miniport PPTP NDISWAN Miniport Virtual Ethernet Indermediate Miniport.... ktl Το ασύρματο δίκτυο από τον υπολογιστή μου το έχω ελεύθερο.Μπορεί κάποιος να με βοηθήσει;
×
×
  • Create New...

Important Information

By using this site, you agree to our Terms of Use.