Jump to content

Search the Community

Showing results for tags 'v-nand'.



More search options

  • Search By Tags

    Type tags separated by commas.
  • Search By Author

Content Type


Categories

  • Ειδήσεις
    • Press Releases

Categories

  • Cases Reviews
  • Heatsinks, Coolers & Watercooling Reviews
  • Input Devices & Peripherals Reviews
  • Barebones, NAS, Media Players Reviews
  • SSDs, HDDs and Controllers Reviews
  • Smartphones, Tablets and Gadgets Reviews
  • VGAs, Motherboards, CPUs & RAM Reviews
  • Power Supplies Reviews
  • Games Reviews
  • Από το Εργαστήρι
  • Reviews in English

Forums

  • TheLab.gr
    • Ειδήσεις
    • Reviews
    • Από το Εργαστήρι
    • Thelab.gr Νέα και σχόλια
    • Δημοσκοπήσεις
    • Παρουσιάσεις Μελών
    • Τεχνολογικοί Προβληματισμοί
  • Talk to...
    • GearBest.com
    • Geekbuying.com
    • Coolicool.com
    • TomTop.com
  • Hardware & Overclocking
    • Intel Platform
    • AMD Platform
    • Κάρτες Γραφικών
    • Μνήμες DDR/DDR2/DDR3/DDR4
    • Αποθήκευση (HDD, SSD, NAS)
    • Κουτιά
    • Ψύξη
    • Τροφοδοτικά
    • Γενικά για Η/Υ
    • Modding & DIY
    • Μετρήσεις & Αποτελέσματα Υπερχρονισμών
  • Εργαλεία και Ιδιοκατασκευές (DIY)
    • Το στέκι του μάστορα
  • Περιφερειακά
    • Οθόνες & Projectors
    • Πληκτρολόγια και ποντίκια
    • Ήχος και Multimedia
    • 3D Εκτύπωση & CNC machines
    • Εκτυπωτές
    • Λοιπά Περιφερειακά
    • VR Technology
  • Software & Δίκτυα
    • Windows
    • Linux
    • Mac OS
    • Δίκτυα & Internet
    • Antivirus & Security
  • Gaming
    • PC Gaming
    • Steam & άλλες κοινότητες
    • Console & Handheld Gaming
  • Κινητές πλατφόρμες
    • Φορητοί υπολογιστές
    • Smartphones
    • Tablets
    • Gadgets, GPS, κτλ
    • Γενική Συζήτηση
  • Φωτογραφία κι εξοπλισμός
    • Φωτογραφικές μηχανές και λοιπά αξεσουάρ
    • Φωτογραφίες, επεξεργασία και δοκιμές
  • IT Section
    • Servers & hardware
    • Server OS & Virtualisation
    • Networking
    • Databases
    • Programming & Scripting
    • Web Development & DTP
  • Προσφορές & καταστήματα
    • Προσφορές και ευκαιρίες αγορών
    • Τι-Που-Πόσο
  • Το Παζάρι
    • Πωλήσεις
    • Ζήτηση
  • Γενική Συζήτηση
    • Off topic
    • The Jungle
    • Forum Δοκιμών
    • Αρχείο

Calendars

  • Ημερολόγιο Κοινότητας
  • Ημερολόγιο Gaming

Blogs

  • in|security
  • freesoft.gr
  • Virtual[DJD]
  • Οι αυτοματισμοί του τεμπέλη...

Find results in...

Find results that contain...


Date Created

  • Start

    End


Last Updated

  • Start

    End


Filter by number of...

Joined

  • Start

    End


Group


Skype


Website URL


Περιοχή


Ενδιαφέροντα


Επάγγελμα


Steam


Biography

Found 2 results

  1. Η Samsung Electronics Co., Ltd., παγκόσμιος ηγέτης στην προηγμένη τεχνολογία μνήμης ανακοίνωσε σήμερα την μαζική παραγωγή του πρώτου, μεγέθους ενός terabyte, ενσωματωμένου Universal Flash Storage (eUFS) 2.1 της βιομηχανίας για χρήση στις εφαρμογές κινητών επόμενης γενιάς. Μόλις τέσσερα χρόνια μετά την ανακοίνωση της πρώτης UFS λύσης, του 128GB eUFS, η Samsung ξεπέρασε το πολύ-αναμενόμενο όριο του ενός terabyte στον αποθηκευτικό χώρο του smartphone. Οι λάτρεις των smartphone θα έχουν σύντομα τη δυνατότητα να απολαμβάνουν χωρητικότητα αποθήκευσης συγκρίσιμη με εκείνη ενός premium notebook PC, χωρίς να χρειάζεται να προσθέσουν επιπλέον κάρτες μνήμης στα κινητά τους τηλέφωνα. Ακολουθεί το σχετικό δελτίο τύπου H Samsung Ξεπερνά το Όριο του Terabyte στον Αποθηκευτικό Χώρο του Smartphone με τον Πρώτο 1TB Ενσωματωμένο Flash Αποθηκευτικό Χώρο της Βιομηχανίας Τροφοδοτούμενο από το V-NAND 5ης γενιάς της Samsung, το νέο Universal Flash Storage προσφέρει 20 φορές περισσότερο αποθηκευτικό χώρο από μια εσωτερική μνήμη 64GB και 10 φορές μεγαλύτερη ταχύτητα από μια τυπική microSD κάρτα για εφαρμογές έντασης δεδομένων Αθήνα — 30 Ιανουαρίου 2019 — Η Samsung Electronics Co., Ltd., παγκόσμιος ηγέτης στην προηγμένη τεχνολογία μνήμης ανακοίνωσε σήμερα την μαζική παραγωγή του πρώτου, μεγέθους ενός terabyte, ενσωματωμένου Universal Flash Storage (eUFS) 2.1 της βιομηχανίας για χρήση στις εφαρμογές κινητών επόμενης γενιάς. Μόλις τέσσερα χρόνια μετά την ανακοίνωση της πρώτης UFS λύσης, του 128GB eUFS, η Samsung ξεπέρασε το πολύ-αναμενόμενο όριο του ενός terabyte στον αποθηκευτικό χώρο του smartphone. Οι λάτρεις των smartphone θα έχουν σύντομα τη δυνατότητα να απολαμβάνουν χωρητικότητα αποθήκευσης συγκρίσιμη με εκείνη ενός premium notebook PC, χωρίς να χρειάζεται να προσθέσουν επιπλέον κάρτες μνήμης στα κινητά τους τηλέφωνα. «Το 1TB eUFS αναμένεται να διαδραματίσει έναν σημαντικό ρόλο στη δημιουργία αναβαθμισμένης εμπειρίας χρήσης στις κινητές συσκευές επόμενης γενιάς, παρόμοια με εκείνη του notebook» δήλωσε ο Cheol Choi, Executive Vice President του Memory Sales & Marketing στην Samsung Electronics. «Ακόμα, η Samsung δεσμεύεται να εξασφαλίσει την πιο αξιόπιστη αλυσίδα εφοδιασμού και επαρκείς ποσότητες στην παραγωγή, για να υποστηρίξει τις κυκλοφορίες των επερχόμενων ναυαρχίδων smartphone συσκευών, με στόχο την επιτάχυνση της ανάπτυξης στην παγκόσμια αγορά κινητής τηλεφωνίας.» Διατηρώντας το ίδιο μέγεθος συσκευασίας (11.5χιλ x 13.0χιλ), η λύση του 1TB eUFS διπλασιάζει τη χωρητικότητα της προηγούμενης έκδοσης των 512GB, συνδυάζοντας 16 στοιβάδες της πιο προηγμένης V-NAND flash μνήμης 512GB και ένα νέο-αναπτυχθέντα ιδιόκτητο ελεγκτή μνήμης. Οι χρήστες smartphone θα μπορούν να αποθηκεύσουν 260 δεκάλεπτα videos σε ανάλυση 4K UHD (3840Χ2160), ενώ ο συνήθης 64GB eUFS, που επιδεικνύουν τα περισσότερα σύγχρονα smartphones, δύναται να αποθηκεύσει 13 videos του ιδίου μεγέθους. Το 1ΤΒ eUFS έχει εξαιρετική ταχύτητα, επιτρέποντας στους χρήστες να μεταφέρουν περιεχόμενο πολυμέσων, μεγάλου μεγέθους, σε σημαντικά μειωμένο χρόνο. Με ταχύτητες που φτάνουν τα 1.000 megabytes ανά δευτερόλεπτο (MB/s), το νέο eUFS διαθέτει περίπου διπλάσια διαδοχική ταχύτητα ανάγνωσης από μια τυπική μονάδα 2.5 ιντσών SSD SATA. Αυτό σημαίνει πως full HD videos μεγέθους 5GB μπορούν να «κατέβουν» σε μια NVMe SSD σε μόλις πέντε δευτερόλεπτα, δηλαδή 10 φορές πιο γρήγορα από μια τυπική microSD κάρτα. Επιπλέον, η ταχύτητα τυχαίας ανάγνωσης έχει αυξηθεί κατά 38% συγκριτικά με την έκδοση 512GB, φτάνοντας τα 58.000 IOPS. Οι τυχαίες εγγραφές είναι 500 φορές πιο γρήγορες από μια microSD κάρτα υψηλής απόδοσης (100 ΙOPS), αγγίζοντας τα 50.000 IOPS. Οι τυχαίες ταχύτητες επιτρέπουν συνεχείς λήψεις υψηλής ταχύτητας στα 960 καρέ το δευτερόλεπτο και δίνουν την ευκαιρία στους χρήστες smartphone να αξιοποιήσουν στο έπακρο τις δυνατότητες πολλαπλής κάμερας στις σύγχρονες συσκευές και στις ναυαρχίδες επόμενης γενιάς. Η Samsung σχεδιάζει, για το πρώτο εξάμηνο του 2019, την επέκταση της παραγωγής του V-NAND 512GB επόμενης γενιάς στο εργοστάσιό της στην Κορέα, ώστε να διαχειριστεί την υψηλή ζήτηση του πολυαναμενόμενου 1TB eUFS από κατασκευαστές κινητών συσκευών διεθνώς. *Παραπομπή: Συγκριτικός πίνακας απόδοσης εσωτερικής μνήμης Μνήμη Ταχύτητα Διαδοχικής Ανάγνωσης Ταχύτητα Διαδοχικής Εγγραφής Ταχύτητα Τυχαίας Ανάγνωσης Ταχύτητα Τυχαίας Εγγραφής Samsung 1TB eUFS 2.1 (Ιαν. 2019) 1000MB/s 260MB/s 58,000 IOPS 50,000 IOPS Samsung 512GB eUFS 2.1 (Νοέμ. 2017) 860MB/s 255MB/s 42,000 IOPS 40,000 IOPS Samsung eUFS 2.1 για αυτοκίνηση (Σεπτ. 2017) 850MB/s 150MB/s 45,000 IOPS 32,000 IOPS Samsung 256GB UFS Card (Ιούλ. 2016) 530MB/s 170MB/s 40,000 IOPS 35,000 IOPS Samsung 256GB eUFS 2.0 (Φεβρ. 2016) 850MB/s 260MB/s 45,000 IOPS 40,000 IOPS Samsung 128GB eUFS 2.0 (Ιαν. 2015) 350MB/s 150MB/s 19,000 IOPS 14,000 IOPS eMMC 5.1 250MB/s 125MB/s 11,000 IOPS 13,000 IOPS eMMC 5.0 250MB/s 90MB/s 7,000 IOPS 13,000 IOPS eMMC 4.5 140MB/s 50MB/s 7,000 IOPS 2,000 IOPS
  2. <div style="float:left"><img src="http://www.thelab.gr/gallery3/var/albums/News/News-Icons/icon_samsung_PROPER.png?m=1260070661" width="130" height="129" alt="Samsung Logo"/></div>Η Samsung, πρωτοπόρος στην τεχνολογία των SSD, παρουσίασε την νέα της σειρά 850 Pro. Έρχεται να αντικαταστήσει την υπάρχουσα σειρά 840 Pro και χρησιμοποιεί την τρισδιάστατη τεχνολογία ολοκλήρωσης V-NAND. Η τεχνολογία αυτή επιτρέπει την τοποθέτηση κελιών αποθήκευσης το έναν πάνω στο άλλο έτσι ώστε να μπορούν να στριμωχτούν περισσότερα τρανζίστορ (και κατά συνέπεια data) σε πολύ μικρότερη επιφάνεια. Αυτό φαίνεται άλλωστε και στις φωτογραφίες που ακολουθούν όπου οι πλακέτες δεν γεμίζουν καλά καλά το περίβλημα 2.5". Η Samsung θα παράγει τον νέο SSD σε χωρητικότητες που ξεκινούν από τα 128GB και θα φτάνουν το 1TB. Οι ταχύτητες ανάγνωσης φτάνουν τα 550MB/s και εγγραφής τα 520MB/s (εκτός από τον 128GB που φτάνει 470ΜΒ/s κατά την εγγραφή) αξιοποιώντας το πρωτόκολλο SATA3, ενώ τα IOPs φτάνουν στην ανάγνωση τα 100.000 και στην εγγραφή τα 90.000. Οι 850Pro θα έρχονται με εγγύηση δέκα ετών με αντοχή εγγραφής τα 150TB. Οι νέοι αυτοί SSD υποστηρίζουν τα πρωτόκολλα encryption AES-256, TCG Opal 2.0 και IEEE-1667, η κατανάλωσή τους φτάνει τα 3.3W σε ανάγνωση και 3W σε εγγραφή ενώ όταν δεν χρησιμοποιούνται θα μπορούν να πέφτουν σε DEVSLP mode καταναλώνοντας μόλις 2mW. Ο controller είναι ο γνωστός Samsung MEX όπως και τα NANDs που είναι δικής της παραγωγής, MLC 2ης γενιάς, χωρητικότητας 86Gbit στα 40nm. Οι τιμές θα ξεκινούν από 130, 200, 400 και 700 USD για τις χωρητικότητες 128, 256, 512GB και 1ΤΒ αντίστοιχα. πηγή: AnandTech
×
×
  • Create New...

Important Information

By using this site, you agree to our Terms of Use.