Η Samsung θα προμηθεύσει HBM3 στην Nvidia, αναπτύσσει τσιπ 32 Gb DDR5

Η Samsung Electronics Co. αναμένεται σύντομα να προμηθεύσει τσιπ DRAM υψηλής απόδοσης, HMB3, στην αμερικανική Nvidia Corp. που σχεδιάζει τσιπ γραφικών - μια κίνηση που θα ενισχύσει την παρουσία της Samsung στον ταχέως αναπτυσσόμενο τομέα των τσιπ τεχνητής νοημοσύνης (AI).

Η Samsung, ο μεγαλύτερος κατασκευαστής τσιπ μνήμης στον κόσμο, δήλωσε την Παρασκευή ότι ανέπτυξε την πρώτη και μεγαλύτερης χωρητικότητας 32 gigabit (Gb) DDR5 DRAM του κλάδου, χρησιμοποιώντας την κορυφαία τεχνολογία διεργασίας 12 νανομέτρων του κλάδου. Τον περασμένο μήνα παρείχε στην Nvidia δείγματα των τσιπ της τέταρτης γενιάς High Bandwidth Memory3 για την επαλήθευση της ποιότητας στις μονάδες επεξεργασίας γραφικών (GPU) A100 και H100 Tensor Core της Nvidia. Με την ολοκλήρωση των ποιοτικών δοκιμών, η Samsung πιθανότατα θα αρχίσει να προμηθεύει τα τσιπ HBM3 της στην Nvidia ήδη από τον Οκτώβριο, ανέφεραν πηγές της βιομηχανίας.

Οι δύο εταιρείες έχουν επίσης συμφωνήσει για την προμήθεια των τσιπ HBM3 της Samsung για το επόμενο έτος, ανέφεραν οι πηγές. Η Samsung πιθανότατα θα προμηθεύσει περίπου το 30% των αναγκών HBM3 της Nvidia το 2024. Η Nvidia έχει λάβει μέχρι στιγμής τσιπ HBM3 αποκλειστικά από την SK Hynix Inc., τον δεύτερο μεγαλύτερο κατασκευαστή τσιπ μνήμης στον κόσμο και αντίπαλο της Samsung. Η SK Hynix δήλωσε τον περασμένο μήνα ότι παρείχε δείγματα ενός νέου τσιπ υψηλής απόδοσης, HBM3E, στην Nvidia για αξιολόγηση.

Η Nvidia παράγει GPUs που χρησιμοποιούνται σε συσκευές δημιουργικής τεχνητής νοημοσύνης, όπως το ChatGPT, ένα chatbot που αναπτύχθηκε από την OpenAI, η οποία υποστηρίζεται από τη Microsoft Corp. και απαιτεί ημιαγωγούς που μπορούν να επεξεργάζονται γρήγορα μεγάλα δεδομένα. Το ChatGPT είναι γνωστό ότι χρησιμοποιεί περίπου 10.000 μονάδες του τσιπ A100 της Nvidia. Η HBM3 DRAM αποτελεί βασικό συστατικό του A100.

Η συμφωνία της Samsung με την AMD

Είναι επίσης γνωστό ότι η Samsung προμηθεύει τα τσιπ HBM3 της στον αμερικανικό κατασκευαστή τσιπ Advanced Micro Devices Inc. (AMD) μετά από μια επιτυχή δοκιμή επαλήθευσης στους επιταχυντές Instinct MI300X της AMD. Δεδομένων των συμφωνιών προμήθειας με την Nvidia και την AMD, το παγκόσμιο μερίδιο αγοράς τσιπ HBM της Samsung θα ξεπεράσει πιθανότατα το 50% το επόμενο έτος, δήλωσαν αξιωματούχοι του κλάδου. Η σειρά DRAM HBM παρουσιάζει αυξανόμενη ζήτηση, καθώς τα τσιπ τροφοδοτούν συσκευές δημιουργικής τεχνητής νοημοσύνης που λειτουργούν σε υπολογιστικά συστήματα υψηλών επιδόσεων.

Τέτοια τσιπ χρησιμοποιούνται για κέντρα δεδομένων υψηλών επιδόσεων, καθώς και για πλατφόρμες μηχανικής μάθησης που ενισχύουν τα επίπεδα επιδόσεων AI και υπερυπολογιστών. Το HBM3 λέγεται ότι έχει 12 φορές μεγαλύτερη χωρητικότητα και 13 φορές μεγαλύτερο εύρος ζώνης από το GDDR6, το πιο πρόσφατο προϊόν DRAM.

Συμφωνίες για συσκευασία επεξεργαστών με AMD και NVidia

Πηγές ανέφεραν ότι η Samsung βρίσκεται επίσης σε προχωρημένες συνομιλίες για να προσφέρει υπηρεσίες συσκευασίας τσιπ για τις GPU της Nvidia και τις κεντρικές μονάδες επεξεργασίας (CPU) της AMD. Η συσκευασία, ένα από τα τελευταία στάδια στην κατασκευή ημιαγωγών, τοποθετεί τα τσιπ σε μια προστατευτική θήκη για την πρόληψη της διάβρωσης και παρέχει μια διεπαφή για τον συνδυασμό και τη σύνδεση ήδη κατασκευασμένων τσιπ.

Η Nvidia βασίζεται σε μεγάλο βαθμό στην Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC) για τη συσκευασία των τσιπ της. Ωστόσο, με τις γραμμές διεργασιών συσκευασίας της TSMC να είναι σχεδόν πλήρεις, η Nvidia και άλλοι πελάτες χωρίς εργοστάσιο καταφεύγουν σε τρίτους.

Η παγκόσμια αγορά προηγμένης συσκευασίας προβλέπεται να εκτιναχθεί κατά 74% στα 65 δισ. δολάρια έως το 2027 από 37,4 δισ. δολάρια το 2021, σύμφωνα με την εταιρεία συμβούλων του κλάδου Yole Intelligence.

Η Citi Global Markets δήλωσε την Παρασκευή ότι οι συμφωνίες HBM3 της Samsung θα ενισχύσουν τα κέρδη της το επόμενο έτος.

Ο αναλυτής της Citi Lee Se-cheol δήλωσε ότι αναμένει ότι τα λειτουργικά κέρδη της Samsung το 2024 θα αυξηθούν κατά 7% σε σχέση με φέτος.

Πρωτοπορία με 32 Gb DDR5 DRAM

Ξεχωριστά, η Samsung παρουσίασε την Παρασκευή μια DRAM κατηγορίας 12 nm 32 Gb double data rate (DDR)5 DRAM, η οποία, όπως είπε, είναι ιδανική για διάφορες εφαρμογές τεχνητής νοημοσύνης. Η πιο πρόσφατη μνήμη, με διπλάσια χωρητικότητα από την 16 Gb DDR5 αλλά στο ίδιο μέγεθος συσκευασίας, είναι η υψηλότερη χωρητικότητα της βιομηχανίας για ένα μόνο τσιπ DRAM. Έχει επίσης βελτιώσει την αποδοτικότητα της ηλεκτρικής ενέργειας κατά 10% σε σύγκριση με τα προϊόντα των 16 Gb.

Η μαζική παραγωγή τσιπ 16 Gb DDR5 ξεκίνησε τον Μάιο με τον πιο προηγμένο κόμβο διεργασίας 12 nm του κλάδου. Έχοντας αναπτύξει την πρώτη της DRAM των 64 kilobit (Kb) το 1983, η Samsung έχει διανύσει πολύ δρόμο για να βελτιώσει τη χωρητικότητα της DRAM κατά 500.000 φορές τα τελευταία 40 χρόνια.

"Με την κατηγορία 32Gb DRAM των 12 nm, εξασφαλίσαμε μια λύση που θα επιτρέψει τη δημιουργία μονάδων DRAM έως και 1 terabyte (TB), επιτρέποντάς μας να είμαστε σε ιδανική θέση για να εξυπηρετήσουμε την αυξανόμενη ανάγκη για DRAM υψηλής χωρητικότητας στην εποχή της τεχνητής νοημοσύνης και των μεγάλων δεδομένων", δήλωσε ο Hwang Sang-joon, εκτελεστικός αντιπρόεδρος του τμήματος DRAM Product & Technology της Samsung.

Η Samsung δήλωσε ότι θα συνεχίσει να επεκτείνει τη γκάμα των DRAM υψηλής χωρητικότητας για να διατηρήσει την ηγετική της θέση στην αγορά στην εποχή της Τεχνητής Νοημοσύνης. Σύμφωνα με την εταιρεία ερευνών αγοράς IDC, η χρήση της DRAM που είναι εγκατεστημένη ανά διακομιστή αναμένεται να διπλασιαστεί σχεδόν στα 3,86 TB μέχρι το 2027 από 1,93 TB που εκτιμάται φέτος.