Η Samsung παρουσίασε το πρώτο mockup HBM5 με ψύξη Heat Path Block, στην Computex 2026

Η Samsung παρουσίασε στην Computex 2026 στην Ταϊπέι το πρώτο φυσικό mockup της μνήμης HBM5. Το Tom's Hardware επισκέφθηκε τον χώρο για να δει από κοντά τον συνδυασμό της μνήμης 8ης γενιάς με τη νέα δομή ψύξης εντός πακέτου που η εταιρεία αποκαλεί Heat Path Block, ή HPB. Η εμφάνιση αυτή αποτελεί ξεκάθαρο σήμα της Samsung ότι θέλει να διεκδικήσει ξανά την πρωτοπορία στη μνήμη για εφαρμογές AI, έπειτα από μια δύσκολη περίοδο με τις προηγούμενες γενιές.

Τι είναι το Heat Path Block και γιατί μετράει

Η αρχιτεκτονική HBM5 επεξεργάζεται σημαντικά μεγαλύτερους όγκους δεδομένων σε υψηλότερες ταχύτητες, με αποτέλεσμα να δημιουργείται απότομη αύξηση της εσωτερικής θερμότητας. Ειδικότερα, το D2D PHY (Die-to-Die Physical Layer — το φυσικό στρώμα επικοινωνίας die-προς-die), που είναι υπεύθυνο για την υπερταχεία μεταφορά δεδομένων μεταξύ HBM και εξωτερικών GPU, αναγνωρίζεται ως μία από τις κύριες πηγές θερμότητας στη βάση die.

Αντί να αφήνει τη θερμότητα να διαφεύγει προς τα έξω μέσα από τα core dies, το HPB κατασκευάζει ένα ξεχωριστό σύνολο θερμικών πυλώνων που απάγουν τη θερμότητα από το εσωτερικό της στοίβας και την οδηγούν σε ένα spreader τοποθετημένο πάνω ή δίπλα στο πακέτο, σύμφωνα με τη Samsung στην Computex. Το HPB δημιουργεί μια επιπλέον διαδρομή για τη διαφυγή θερμότητας, μειώνοντας τη θερμική αντίσταση και βοηθώντας στη διατήρηση σταθερής απόδοσης υπό φορτίο.

Σύμφωνα με τον Πρόεδρο Song, «το HBM5 της Samsung έχει το πλεονέκτημα να μειώνει τη θερμική αντίσταση και να αυξάνει τη λειτουργική σταθερότητα με την προσθήκη μιας ξεχωριστής διαδρομής μεταφοράς θερμότητας». Η Samsung έχει ήδη ολοκληρώσει τον σχεδιαστικό, αξιοπιστίας και σταθερότητας έλεγχο της τεχνολογίας HPB μέσω του προϊόντος HBM4E.

Βάση 2nm και διαμορφώσεις στοίβας

Η Samsung επιβεβαίωσε επίσης ότι θα κατασκευάσει τη βάση die του HBM5 στη δική της διαδικασία 2nm, από τον κόμβο 4nm που χρησιμοποιείται για το HBM4 και το HBM4E. Αυτό δεν αποτελεί έκπληξη — η ομάδα ανάπτυξης μνήμης της Samsung είχε γνωστοποιήσει το σχέδιο 2nm για το HBM5 στο Nvidia GTC 2026 τον Μάρτιο.

Σύμφωνα με το SeDaily, το HBM5 προετοιμάζεται σε διαμορφώσεις στοίβας DRAM 12, 16 και 20 στρωμάτων, με μαζική παραγωγή αναμενόμενη γύρω στο 2028, μετά το HBM4E. Σε εξέλιξη βρίσκεται επίσης η επόμενης γενιάς διαδικασία DRAM 1d της Samsung, που ακολουθεί τον τρέχοντα κόμβο 1c και ενδέχεται να εφαρμοστεί από το HBM5E και μετά.

Σύμφωνα με χάρτη πορείας του KAIST, το HBM5 αναμένεται να φτάσει διασύνδεση 4.096 bit, δηλαδή περίπου 4 TB/s ανά στοίβα, και κατανάλωση γύρω στα 100 watt ανά στοίβα — ένα θερμικό φορτίο που εξηγεί σε μεγάλο βαθμό γιατί και οι δύο κορεάτικοι κολοσσοί μνήμης επανασχεδιάζουν την υλοποίησή τους τώρα και όχι τη στιγμή της κυκλοφορίας.

Samsung εναντίον SK hynix: η θερμική αντιπαράθεση

Την προηγούμενη εβδομάδα, η ανταγωνίστρια SK hynix αποκάλυψε τη δική της θερμική σχεδίαση iHBM, σημαίνοντας ότι και οι δύο εταιρείες εστιάζουν πλέον στο ίδιο θερμικό σημείο συμφόρησης στη διασύνδεση die-προς-die που συνδέει τη μνήμη με τον επεξεργαστή. Η SK hynix επέλεξε να τοποθετήσει το στοιχείο ψύξης απευθείας στο σημείο υψηλής θερμοκρασίας, ενώ η Samsung κατασκεύασε διαδρομή απαγωγής θερμότητας μακριά από αυτό.

Το 2024, τα chip HBM3E της Samsung απέτυχαν στις δοκιμές πιστοποίησης της Nvidia λόγω προβλημάτων θερμότητας και κατανάλωσης ισχύος, σύμφωνα με τρεις πηγές της Reuters. Η αποτυχία αυτή κόστισε στη Samsung μια ολόκληρη γενιά συμβολαίων με την Nvidia. Το HPB αντιπροσωπεύει την άμεση τεχνική απάντηση της Samsung σε εκείνη την αποτυχία, ενσωματωμένο στην ίδια τη στοίβα HBM αντί να αντιμετωπίζεται μέσω εξωτερικής ψύξης.

Και οι δύο μέθοδοι προβλέπεται να κάνουν ντεμπούτο με το HBM5, αλλά θα περάσει κάποιο διάστημα πριν τις δούμε σε δράση, καθώς καμία εταιρεία δεν αναμένει μαζική παραγωγή πριν από το 2028. Ερευνητικοί φορείς και εταιρείες ανάλυσης της αγοράς εκτιμούν ότι το HBM5 θα φτάσει σε παραγωγή γύρω στο 2028-2029, στοχεύοντας στην πλατφόρμα Feynman της Nvidia, δύο γενιές μετά το Vera Rubin.

Ο παράγοντας Nvidia και η θέση της Samsung

«Τα συστήματα AI γίνονται πιο ισχυρά και πυκνά, κάνοντας τη διαχείριση θερμότητας, την αποδοτικότητα επεξεργασίας δεδομένων και τη σταθερότητα πακέτου εξίσου σημαντικά με την ίδια την απόδοση της μνήμης», δήλωσε ο Song Jai-hyuk, Πρόεδρος και CTO της μονάδας Device Solutions της Samsung, σε δημοσιογράφους στην Computex. Ο Song ανέφερε ότι η εταιρεία θα συνεχίσει να ενισχύει την ανταγωνιστικότητά της στη μνήμη επόμενης γενιάς μέσα από συνεργασία με εταίρους, συμπεριλαμβανομένης της Nvidia.

Ωστόσο, κατά τη διάρκεια της ίδιας έκθεσης, ο CEO της Nvidia Jensen Huang επισκέφθηκε τον χώρο της SK hynix, έγραψε «Please Make More» σε μια φέτα HBM4E και εξύμνησε την αποτίμηση τρισεκατομμυρίου δολαρίων της εταιρείας — μια ξεκάθαρη ένδειξη για το πού παραμένουν οι προτιμήσεις της Nvidia στον τομέα της μνήμης. Η Samsung έχει ήδη ολοκληρώσει την επικύρωση της τεχνολογίας HPB μέσω του HBM4E και ενισχύει τη θέση της στην παγκόσμια αλυσίδα εφοδιασμού AI παρέχοντας HBM4 για την πλατφόρμα Vera Rubin της Nvidia.

Σύμφωνα με την Korea Herald, το HBM4E λειτουργεί στα 14 Gbps ανά pin και μπορεί να υποστηρίξει έως 16 Gbps, προσφέροντας μέγιστη ρυθμαπόδοση 4 TB/s. Αυτό αποτελεί τη σημερινή κορυφή της αγοράς, με το HBM5 να αναμένεται να αναδιπλασιάσει αυτά τα νούμερα όταν φτάσει σε μαζική παραγωγή.

Πηγές

• Tom's Hardware — Samsung shows first HBM5 mockup with Heat Path Block cooling
• TrendForce — Samsung Unveils HBM5 Model for the First Time at Computex
• Korea Herald — Samsung reveals HBM5 mockup in bid to regain AI memory lead
• TechTimes — Samsung HBM5 Debuts at Computex: Nvidia's Endorsement Still Goes to SK Hynix