- Η Samsung στοχεύει η νέα γενιά μνήμης HBM5 να προσφέρει διπλάσιες επιδόσεις σε σχέση με τη HBM4E, σύμφωνα με δηλώσεις του Choi Jang-seok, επικεφαλής της ομάδας σχεδιασμού προϊόντων του τμήματος μνήμης της Samsung Electronics DS, στο Memory Executive Summit.
- Η εταιρεία στοχεύει σε 20% καλύτερη αποδοτικότητα ανά watt, ενώ το Heat Path Block (HPB) θα μειώσει τη θερμική αντίσταση κατά 20% και θα απλοποιήσει την ψύξη των μονάδων HBM5.
- Ο διπλασιασμός του εύρους ζώνης πιθανότατα θα απαιτήσει διεπαφή 4.096 bit αντί των σημερινών 2.048 bit ή συνδυασμό ευρύτερης διεπαφής και υψηλότερου ρυθμού μεταφοράς δεδομένων, χωρίς αυτό να αποτελεί επίσημη επιβεβαίωση της προδιαγραφής.
Η Samsung παρουσίασε τους στόχους σχεδιασμού για την επόμενη γενιά μνήμης υψηλού εύρους ζώνης HBM5 στο Memory Executive Summit, εκδήλωση που προηγήθηκε της Semicon Taiwan 2026. Σύμφωνα με τον Choi Jang-seok, επικεφαλής της ομάδας σχεδιασμού προϊόντων του τμήματος μνήμης της μονάδας DS της Samsung Electronics, ο στόχος είναι η HBM5 να προσφέρει διπλάσιες επιδόσεις σε σχέση με τη HBM4E.
Αποδοτικότητα και ψύξη
Πέρα από τις επιδόσεις, η Samsung θέτει ως στόχο βελτίωση 20% στην αποδοτικότητα ανά watt σε σχέση με τη HBM4E. Παράλληλα, η εταιρεία σχεδιάζει να ενσωματώσει τεχνολογία Heat Path Block (HPB), ένα στοιχείο που μειώνει τη θερμική αντίσταση κατά 20% και απλοποιεί την ψύξη των μονάδων HBM5, όπως είχε ανακοινώσει παλαιότερα η ίδια η εταιρεία.
Πώς θα επιτευχθεί ο διπλασιασμός του εύρους ζώνης
Το επίσημο πρότυπο JEDEC για τη HBM4E προβλέπει ρυθμό μεταφοράς δεδομένων γύρω στα 12 GT/s ανά ακίδα, παρότι κατασκευαστές μνήμης όπως η Micron, η Samsung και η SK hynix, καθώς και εταιρείες που αναπτύσσουν ελεγκτές και φυσικές διεπαφές (PHY) για HBM όπως η Cadence, η Rambus και η Synopsys, προσφέρουν ήδη ελεγκτές HBM4/HBM4E με ρυθμό 16 GT/s. Το Tom's Hardware σημειώνει πως ο διπλασιασμός του ρυθμού μεταφοράς δεδομένων από τα 12 στα 24 GT/s μέσα σε μία γενιά είναι δύσκολα ρεαλιστικός, γεγονός που οδηγεί στην εκτίμηση ότι η Samsung μπορεί να στοχεύει σε διπλασιασμό του πλάτους της διεπαφής, από τα 2.048 στα 4.096 bit, είτε σε συνδυασμό των δύο προσεγγίσεων. Πρόκειται ωστόσο για ανάλυση του Tom's Hardware και όχι για επίσημη προδιαγραφή που έχει ανακοινώσει η Samsung.
Τι σημαίνει για τους επιταχυντές AI
Αν επιβεβαιωθεί ο διπλασιασμός του εύρους ζώνης ανά στοίβα (stack), το Tom's Hardware εκτιμά πως η HBM5 θα μπορούσε να φτάσει περίπου στα 4 TB/s ανά στοίβα ήδη το διάστημα 2028-2029. Σε ξεχωριστή πρόβλεψή της, η TSMC αναμένει πως οι επιταχυντές AI θα φτάσουν σε διαμορφώσεις με 20 έως 24 στοίβες HBM5/HBM5E ανά πακέτο μέχρι το τέλος της δεκαετίας, κάτι που θα μεταφραζόταν σε συνολικό εύρος ζώνης έως και 80-96 TB/s ανά πακέτο. Η εκτίμηση αυτή αποδίδεται αποκλειστικά στην TSMC και όχι στη Samsung, η οποία δεν έχει κάνει αντίστοιχη δήλωση.

TheLab Weekly Digest
Recommended Comments
There are no comments to display.
Create an account or sign in to comment
You need to be a member in order to leave a comment
Create an account
Sign up for a new account in our community. It's easy!
Register a new accountSign in
Already have an account? Sign in here.
Sign In Now