Η Samsung έχει χαράξει πορεία προς τον δίσκο SSD 1000TB με την προηγμένη ανάπτυξη τσιπ NAND

Η Samsung χαράζει την πορεία της προς την παραγωγή του πρώτου SSD χωρητικότητας 1000TB. Αρχικά, η Samsung υπονόησε στην Tech Day του 2022, ότι θα στοιβάζει πάνω από 1.000 στρώματα στο προηγμένο τσιπ NAND μέχρι το 2030, ανοίγοντας το δρόμο για την άφιξη SSD κλίμακας petabyte. Ωστόσο, οι πρόσφατες εξελίξεις υποδηλώνουν ότι αυτό το ορόσημο μπορεί να μην επιτευχθεί τόσο σύντομα όσο αρχικά αναμενόταν, μετριάζοντας τις προσδοκίες της βιομηχανίας.

Παρ' όλα αυτά, η Samsung παραμένει σταθερή στην επιδίωξή της για τσιπ NAND επόμενης γενιάς, ανακοινώνοντας σχέδια για τη μαζική παραγωγή των τελευταίων τσιπ NAND ένατης γενιάς (V9) με 290 στρώματα. Επιπλέον, οι εικασίες αυξάνονται γύρω από την επικείμενη αποκάλυψη ενός πρωτοποριακού τσιπ NAND δέκατης γενιάς (V10) 430 στρωμάτων που αναμένεται να κυκλοφορήσει το επόμενο έτος, σηματοδοτώντας τη δέσμευση της Samsung να διευρύνει τα όρια της τεχνολογίας αποθήκευσης.

Ενώ οι λεπτομέρειες σχετικά με την πρόοδο της Samsung προς τον πολυπόθητο SSD χωρητικότητας Petabyte παραμένουν καλυμμένες με μυστικότητα, μια ματιά στις ερευνητικές προσπάθειες της εταιρείας προκύπτει μέσα από μια επερχόμενη παρουσίαση στο VLSI Technology Symposium. Ο Giwuk Kim, σε συνεργασία με τη Samsung Electronics, θα εμβαθύνει στις δυνατότητες της μνήμης FE-NAND με βάση τη hafnia, ρίχνοντας φως στο ρόλο της στην εξέλιξη της τεχνολογίας 3D VNAND. Καθώς το συμπόσιο διερευνά τις δυνατότητες των σιδηροηλεκτρικών hafnia, η συμμετοχή της Samsung υπογραμμίζει το ανταγωνιστικό τοπίο που οδηγεί την καινοτομία στη βιομηχανία αποθήκευσης.