Η Samsung εξετάζει διαδικασία 2 nm για base dies της HBM, σύμφωνα με δημοσίευμα του ZDNet

Σύμφωνα με δημοσίευμα του ZDNet, η Samsung εξετάζει το ενδεχόμενο να αξιοποιήσει μια γραμμή παραγωγής στο υπό κατασκευή ερευνητικό της κέντρο στη βιομηχανική περιοχή του Γκιχέουν, ώστε να κατασκευάζει βασικά chips (base dies) για τις μνήμες HBM με διαδικασία 2nm. Το δημοσίευμα βασίζεται σε πηγές του κλάδου και σημειώνει ότι τα σχέδια ενδέχεται να αναθεωρηθούν.

Η γραμμή NRD-K Line 2 και το χρονοδιάγραμμα

Η γραμμή που αναφέρεται στο δημοσίευμα ονομάζεται NRD-K Line 2. Η εγκατάσταση αναμένεται να ανοίξει περίπου σε δύο χρόνια, σύμφωνα με το δημοσίευμα, και τα σχέδια παραμένουν υποκείμενα σε αναθεώρηση λόγω του χρονικού ορίζοντα. Τα base dies ενδέχεται να προορίζονται για τα AI chips της NVIDIA, σύμφωνα με την ίδια αναφορά.

4nm για HBM4 και 2nm για base dies HBM

Το ρεπορτάζ του wccftech αναφέρει ότι η Samsung εξετάζει τη χρήση διαδικασίας 2nm για base dies HBM, ενώ νωρίτερα η εταιρεία είχε ανακοινώσει ότι θα χρησιμοποιήσει διαδικασία 4nm για τις μνήμες HBM4. Πρόκειται για δύο διαδικασίες που αναφέρονται στο πλαίσιο του χάρτη πορείας της Samsung για τις μνήμες HBM.

Γιατί έχει σημασία για την αγορά AI chips

Η μετάβαση των base dies σε πιο προχωρημένους κόμβους κατασκευής ξεκίνησε με τις μνήμες HBM3 και HBM3E, όταν οι κατασκευαστές πέρασαν σε λογικές διαδικασίες της τάξης των 20 έως 12 νανομέτρων, καθώς αυξήθηκαν οι ρυθμοί δεδομένων και οι ταχύτητες των ακροδεκτών. Με την HBM4, foundries όπως η TSMC και η Samsung Foundry ανέλαβαν την κατασκευή του base die. Η SK hynix συνεργάζεται με την TSMC για τα δικά της chips HBM, ενώ και η Micron έχει συνεργαστεί με την TSMC για τις μνήμες HBM4.

Πηγές

• Wccftech: Samsung May Push HBM Base Dies to Cutting-Edge 2nm, Extending Its Own 4nm HBM4 Roadmap