- Η Sandisk ανακοίνωσε ότι ξεκίνησε τη διάθεση δειγμάτων της BiCS10 1 Tb TLC, της 10ης γενιάς μνήμης 3D NAND flash της εταιρείας.
- Σύμφωνα με τη Sandisk, η πυκνότητα ξεπερνά τα 29 Gb/mm², βελτιωμένη κατά 59% σε σχέση με την προηγούμενη γενιά, με ταχύτητα διεπαφής έως 4,8 Gb/s.
- Η εταιρεία αναφέρει επίσης μείωση κατανάλωσης έως 10% στην εγγραφή και 34% στην ανάγνωση δεδομένων, σε σύγκριση με τη γενιά BiCS8.
Η Sandisk ανακοίνωσε ότι ξεκίνησε τη διάθεση δειγμάτων της μνήμης BiCS10 1 Tb TLC, της 10ης γενιάς της τεχνολογίας 3D NAND flash της εταιρείας. Πρόκειται για ανακοίνωση διάθεσης δειγμάτων προς συνεργάτες και όχι για μαζική κυκλοφορία προϊόντος.
Τεχνικά χαρακτηριστικά σύμφωνα με τη Sandisk
Η εταιρεία αναφέρει ότι η BiCS10 χρησιμοποιεί τεχνικές πλευρικής κλιμάκωσης (lateral scaling) και βασίζεται στην αρχιτεκτονική Bit-Cost Scalable (BiCS) της Sandisk, σε συνδυασμό με την τεχνολογία CMOS directly Bonded to Array (CBA). Σύμφωνα με τη Sandisk, το αποτέλεσμα είναι πυκνότητα μνήμης άνω των 29 Gb/mm², βελτιωμένη κατά 59% σε σχέση με την προηγούμενη γενιά, καθώς και ταχύτητα διεπαφής έως 4,8 Gb/s, αύξηση 33% σε σχέση με τη 8η γενιά 3D flash που βρίσκεται σήμερα σε μαζική παραγωγή.
Η εταιρεία δηλώνει ακόμα ότι η νέα γενιά μειώνει την κατανάλωση ενέργειας κατά 10% στην εγγραφή δεδομένων (input) και κατά 34% στην ανάγνωση (output), σε σύγκριση με τη γενιά BiCS8. Όλα τα παραπάνω στοιχεία προέρχονται αποκλειστικά από την ανακοίνωση της Sandisk, χωρίς ανεξάρτητη επιβεβαίωση ή δημοσιευμένο χρονοδιάγραμμα μαζικής παραγωγής.
TheLab Weekly Digest
Recommended Comments
There are no comments to display.
Create an account or sign in to comment
You need to be a member in order to leave a comment
Create an account
Sign up for a new account in our community. It's easy!
Register a new accountSign in
Already have an account? Sign in here.
Sign In Now