Samsung αναβάλλει τη μαζική παραγωγή της διαδικασίας 1,4 nm στο 2029
Πρώτη χρήση High-NA EUV
Το χρονοδιάγραμμα της Samsung σηματοδοτεί την πρώτη σχεδιασμένη χρήση τεχνολογίας λιθογραφίας High-NA EUV για μαζική παραγωγή ημιαγωγών από την εταιρεία. Σύμφωνα με τις αναφορές, η Samsung προετοιμάζει τις εγκαταστάσεις έρευνας ημιαγωγών με νέο εξοπλισμό από εγχώριους προμηθευτές, καθώς και από μεγάλους διεθνείς κατασκευαστές εργαλείων, όπως η Applied Materials και η Lam Research. Η τεχνολογία αυτή αφορά μηχανήματα με μεγαλύτερο αριθμητικό άνοιγμα φακού, σχεδιασμένα να προσφέρουν βελτιωμένες δυνατότητες σχηματισμού μοτίβων (patterning) για όλο και πιο πολύπλοκες γεωμετρίες τρανζίστορ σε κόμβους πέρα από τα σημερινά 2 nm.
Η ASML αναμένεται να προμηθεύσει τη Samsung με περίπου επτά συστήματα High-NA EUV έως το τέλος του 2027, με κάθε σύστημα να είναι σε θέση να επεξεργάζεται περίπου 175 έως 200 δισκίδια (wafers) την ώρα υπό βέλτιστες συνθήκες. Η πραγματική απόδοση θα εξαρτηθεί από τα ποσοστά χρησιμοποίησης, την ωριμότητα της διεργασίας και τη λειτουργία των εργοστασίων, ωστόσο ο προγραμματισμένος εξοπλισμός αναμένεται να προσφέρει επαρκή δυναμικότητα για τη μελλοντική διεργασία 1,4 nm της Samsung.
Σύγκριση με Intel και TSMC
Το αναθεωρημένο χρονοδιάγραμμα τοποθετεί τον επόμενης γενιάς κόμβο της Samsung σε παρόμοια χρονική γραμμή με ανταγωνιστικές προηγμένες τεχνολογίες κατασκευής που αναμένονται αργότερα αυτή τη δεκαετία. Σύμφωνα με το παρεχόμενο πίνακα, η Intel σχεδιάζει risk production για τον κόμβο 14A το 2028 και high-volume production το 2029, ενώ η TSMC σχεδιάζει mass production του κόμβου A14 το 2028.
Η αρχική πηγή των πληροφοριών είναι το νοτιοκορεατικό μέσο The Bell. Καμία από τις παραπάνω πληροφορίες δεν έχει επιβεβαιωθεί επίσημα από τη Samsung.
Πηγές
Guru3D: Samsung Delays 1.4 nm Process Mass Production to 2029 The Bell (πρωτογενής πηγή)
145
