Η Samsung στοχεύει σε διπλάσιες επιδόσεις με την HBM5 έναντι της HBM4E
Αποδοτικότητα και ψύξη
Πέρα από τις επιδόσεις, η Samsung θέτει ως στόχο βελτίωση 20% στην αποδοτικότητα ανά watt σε σχέση με τη HBM4E. Παράλληλα, η εταιρεία σχεδιάζει να ενσωματώσει τεχνολογία Heat Path Block (HPB), ένα στοιχείο που μειώνει τη θερμική αντίσταση κατά 20% και απλοποιεί την ψύξη των μονάδων HBM5, όπως είχε ανακοινώσει παλαιότερα η ίδια η εταιρεία.
Πώς θα επιτευχθεί ο διπλασιασμός του εύρους ζώνης
Το επίσημο πρότυπο JEDEC για τη HBM4E προβλέπει ρυθμό μεταφοράς δεδομένων γύρω στα 12 GT/s ανά ακίδα, παρότι κατασκευαστές μνήμης όπως η Micron, η Samsung και η SK hynix, καθώς και εταιρείες που αναπτύσσουν ελεγκτές και φυσικές διεπαφές (PHY) για HBM όπως η Cadence, η Rambus και η Synopsys, προσφέρουν ήδη ελεγκτές HBM4/HBM4E με ρυθμό 16 GT/s. Το Tom's Hardware σημειώνει πως ο διπλασιασμός του ρυθμού μεταφοράς δεδομένων από τα 12 στα 24 GT/s μέσα σε μία γενιά είναι δύσκολα ρεαλιστικός, γεγονός που οδηγεί στην εκτίμηση ότι η Samsung μπορεί να στοχεύει σε διπλασιασμό του πλάτους της διεπαφής, από τα 2.048 στα 4.096 bit, είτε σε συνδυασμό των δύο προσεγγίσεων. Πρόκειται ωστόσο για ανάλυση του Tom's Hardware και όχι για επίσημη προδιαγραφή που έχει ανακοινώσει η Samsung.
Τι σημαίνει για τους επιταχυντές AI
Αν επιβεβαιωθεί ο διπλασιασμός του εύρους ζώνης ανά στοίβα (stack), το Tom's Hardware εκτιμά πως η HBM5 θα μπορούσε να φτάσει περίπου στα 4 TB/s ανά στοίβα ήδη το διάστημα 2028-2029. Σε ξεχωριστή πρόβλεψή της, η TSMC αναμένει πως οι επιταχυντές AI θα φτάσουν σε διαμορφώσεις με 20 έως 24 στοίβες HBM5/HBM5E ανά πακέτο μέχρι το τέλος της δεκαετίας, κάτι που θα μεταφραζόταν σε συνολικό εύρος ζώνης έως και 80-96 TB/s ανά πακέτο. Η εκτίμηση αυτή αποδίδεται αποκλειστικά στην TSMC και όχι στη Samsung, η οποία δεν έχει κάνει αντίστοιχη δήλωση.
Πηγές
Tom's Hardware Korea Herald TrendForce
59
