Jump to content
  • Latest Reviews

    All Reviews
  • Η Samsung ξεκινάει τις αποστολές στους πελάτες της αρθρωμάτων EUV RAM

    H συζήτηση για τη RAM δεν αφορά μόνο στο πόση RAM διαθέτει ένας υπολογιστής αλλά και ποιο είδος RAM χρησιμοποιεί. Για παράδειγμα, υπάρχουν αρθρώματα RAM τύπου LPDDR3 και νεώτερα τύπου LPDDR5 κ.ο.κ. Συνήθως τα πιο νέα είναι και "καλύτερα" σε σχέση με τις επιδόσεις, την αποδοτικότητα, τις βελτιώσεις κτλ.

     

    Φαίνεται ότι η Samsung προχωράει στο επόμενο επίπεδο, καθώς η εταιρεία ανακοίνωσε ότι ξεκίνησαν τις αποστολές των πρώτων αρθρωμάτων μνήμης τεχνολογίας 10nm DDR4 DRAM που κατασκευάζονται με τη μέθοδο EUV (Extreme Ultraviolet). Η συγκεκριμένη μέθοδος είναι ίσως ό,τι πιο εξελιγμένο υπάρχει σήμερα και χρησιμοποιείται ακόμα και στην κατασκευή των chips των υπολογιστών.

     

    Ένα από τα σημαντικότερα πλεονεκτήματα της μεθόδου αυτής είναι ότι χρησιμοποιεί φως με απίστευτα μικρό μήκος κύματος, ώστε να αποτυπώσει το σχεδιασμό του chip πάνω στο πυρίτιο. Σε αντίθεση με τα "παραδοσιακά" lasers, αυτή η μέθοδος θα επιτρέψει στη Samsung να δημιουργεί chips με ακόμα λεπτότερα κυκλώματα, επομένως και με μεγαλύτερη πυκνότητα.

     

    Αυτή η διαδικασία οδηγεί σε chips που είναι ταχύτερα αλλά και πιο αποδοτικά. Παρ' όλα αυτά, ίσως χρειαστεί κάποιο διάστημα μέχρι να δούμε αρθρώματα EUV DDR4 RAM στα ράφια των καταστημάτων. Η Samsung αναμένει την ετοιμότητα ενός δεύτερου εργοστασίου στο δεύτερο μισό του 2020, ενώ θα ξεκινήσουν και τη μαζική παραγωγή αρθρωμάτων DDR5 το 2021.

     

    Timeline of Samsung DRAM Milestones

    Date

    Samsung DRAM Milestones

    2021 (TBD)

    4th-gen 10nm-class (1a) EUV-based 16Gb DDR5/LPDDR5 mass production

    March 2020

    4th-gen 10nm-class (1a) EUV-based DRAM development

    September 2019

    3rd-gen 10nm-class (1z) 8Gb DDR4 mass production

    June 2019

    2nd-gen 10nm-class (1y) 12Gb LPDDR5 mass production

    March 2019

    3rd-gen 10nm-class (1z) 8Gb DDR4 development

    November 2017

    2nd-gen 10nm-class (1y) 8Gb DDR4 mass production

    September 2016

    1st-gen 10nm-class (1x) 16Gb LPDDR4/4X mass production

    February 2016

    1st-gen 10nm-class (1x) 8Gb DDR4 mass production

    October 2015

    20nm (2z) 12Gb LPDDR4 mass production

    December 2014

    20nm (2z) 8Gb GDDR5 mass production

    December 2014

    20nm (2z) 8Gb LPDDR4 mass production

    October 2014

    20nm (2z) 8Gb DDR4 mass production

    February 2014

    20nm (2z) 4Gb DDR3 mass production

    February 2014

    20nm-class (2y) 8Gb LPDDR4 mass production

    November 2013

    20nm-class (2y) 6Gb LPDDR3 mass production

    November 2012

    20nm-class (2y) 4Gb DDR3 mass production

    September 2011

    20nm-class (2x) 2Gb DDR3 mass production

    July 2010

    30nm-class 2Gb DDR3 mass production

    February 2010

    40nm-class 4Gb DDR3 mass production

    July 2009

    40nm-class 2Gb DDR3 mass production

     


    • Like 2

    User Feedback

    Recommended Comments

    There are no comments to display.



    Join the conversation

    You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.

    Guest
    Add a comment...

    ×   Pasted as rich text.   Paste as plain text instead

      Only 75 emoji are allowed.

    ×   Your link has been automatically embedded.   Display as a link instead

    ×   Your previous content has been restored.   Clear editor

    ×   You cannot paste images directly. Upload or insert images from URL.


×
×
  • Create New...

Important Information

By using this site, you agree to our Terms of Use.