Η Intel επιδεικνύει σημαντική πρόοδο στην κλιμάκωση τρανζίστορ επόμενης γενιάς

Στο πλαίσιο του 2023 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), η Intel παρουσίασε σήμερα επαναστατικές τεχνολογίες που θα διαμορφώσουν το μέλλον της επεξεργασίας και επιβεβαίωσαν τη συνέχιση του Moore’s Law. Οι ερευνητές της Intel παρουσίασαν τη πρόοδό τους στα 3D στοίβαγμένα CMOS τρανζίστορ με οπίσθια τροφοδοσία και άμεσες οπίσθιες επαφές, επισημαίνοντας την ηγετική θέση της εταιρείας στους τρανζίστορ "gate-all-around."

Το PowerVia, μια τεχνολογία οπίσθιας παροχής ενέργειας, θα είναι έτοιμο για παραγωγή το 2024, ανοίγοντας νέους ορίζοντες στην αποτελεσματική παροχή ενέργειας. Επιπλέον, η Intel επέδειξε τη δυνατότητά της να ενσωματώσει επιτυχώς τρανζίστορ πυριτίου με τρανζίστορ GaN στον ίδιο δίσκο 300 χιλιοστών, παρουσιάζοντας τη λύση "DrGaN" για την παροχή ενέργειας.

Σημαντική προοπτική παρουσιάζει επίσης η έρευνα στους 2D τρανζίστορ χώρους, με την χρήση υλικών όπως το Transition Metal Dichalcogenide (TMD), καθώς και τον κατακόρυφο σωλήνα gate-all-around.

Ο Sanjay Natarajan, Αντιπρόεδρος και Γενικός Διευθυντής Έρευνας Συστατικών της Intel, τόνισε ότι οι καινοτομίες αυτές αποτελούν κρίσιμα βήματα για τη συνεχιζόμενη εξέλιξη του τομέα των επεξεργαστών, ενισχύοντας τη δυνατότητα της Intel να παρέχει πρωτοποριακές τεχνολογίες για την επόμενη γενιά φορητών υπολογιστών.