All Activity

Για πρώτη φορά παγκοσμίως, nFETs και pFETs βασισμένα σε 2D υλικά (MoS₂, WS₂, WSe₂) ολοκληρώθηκαν σε wafer 300 mm με contacted poly pitch (CPP) 50 nm, σε διεργασία συμβατή με βιομηχανική παραγωγή. Η επίδειξη έγινε από τους imec, TSMC και ASML στο συνέδριο IEEE/JSAP VLSI Technology and Circuits 2026, και αντιπροσωπεύει κρίσιμο βήμα για τη μετάβαση από εργαστηριακό σε βιομηχανικό επίπεδο. Τα 2D υλικά τύπου TMD στοχεύουν να συμπληρώσουν ή να αντικαταστήσουν το πυρίτιο σε εφαρμογές ultra-scaled λογικής και σε back-end/backside επίπεδα ολοκλήρωσης. Η κοινοπραξία imec, TSMC και ASML παρουσίασε στο 2026 IEEE/JSAP Symposium on VLSI Technology and Circuits μια νέα, επαναλήψιμη και επεκτάσιμη διαδρομή ολοκλήρωσης για τρανζίστορ βασισμένα σε 2D υλικά, σε wafer διαμέτρου 300 mm. Η εργασία παρέχει τόσο nFETs όσο και pFETs με contacted poly pitch (CPP) 50 nm στον ίδιο wafer 300 mm, σηματοδοτώντας ένα βήμα προς τη βιομηχανική υιοθέτηση συσκευών λογικής μετα-πυριτίου. Τι επιτεύχθηκε και γιατί είναι πρωτόγνωρο Παρουσιάστηκαν για πρώτη φορά συμπληρωματικά 2D τρανζίστορ σε τέτοιες διαστάσεις, χρησιμοποιώντας διεργασία συμβατή με τη βιομηχανία. Συγκεκριμένα, τα nFETs υλοποιούνται με κανάλι MoS₂, ενώ τα pFETs χρησιμοποιούν είτε WS₂ είτε WSe₂ ως υλικό καναλιού. Και οι δύο τύποι τρανζίστορ επέδειξαν καλά χαρακτηριστικά ρεύματος-τάσης (I-V) στις δοκιμές. Το CPP των 50 nm είναι το βασικό μετρικό μέγεθος κλιμάκωσης στη βιομηχανία ημιαγωγών — αντιστοιχεί στην κατακόρυφη περίοδο μεταξύ διαδοχικών πυλών πολυκρυσταλλικού πυριτίου, και η επίτευξή του σε 2D υλικά σε wafer 300 mm θεωρείται από τους οργανισμούς-εταίρους ως κρίσιμη προϋπόθεση για τη μετάβαση από εργαστηριακό σε εργοστασιακό επίπεδο. Γιατί τα 2D υλικά — και ποιο ήταν το εμπόδιο Τα δισδιάστατα (2D) transition metal dichalcogenides (TMDs), όπως τα MoS₂, WS₂ και WSe₂, θεωρούνται εδώ και καιρό υποσχόμενοι υποψήφιοι για να διαδεχθούν το πυρίτιο ως υλικό καναλιού στα τρανζίστορ CMOS, λόγω των ευνοϊκών ηλεκτρικών τους ιδιοτήτων. Η ατομική τους λεπτότητα επιτρέπει άριστο ηλεκτροστατικό έλεγχο του καναλιού ακόμα και σε εξαιρετικά μικρά μήκη πύλης και καναλιού, διατηρώντας παράλληλα αποδεκτές κινητικότητες φορτίων — στοιχείο που το πυρίτιο δυσκολεύεται να εξασφαλίσει σε τέτοιες διαστάσεις. Ωστόσο, η μετάφραση των εργαστηριακών επιδείξεων σε κατασκευάσιμες διεργασίες αποδείχθηκε μείζον πρόκληση. Το βασικό εμπόδιο ήταν η απουσία ενός συμβατού ροή ολοκλήρωσης σε wafer 300 mm, που να αποδίδει nFETs και pFETs τύπου TMD σε βιομηχανικά σχετικές διαστάσεις — διατηρώντας παράλληλα τις επιδόσεις που έχουν εκτενώς αποδειχθεί σε εργαστηριακή κλίμακα. Προηγούμενη πρόοδος και ο ρόλος των εταίρων Στο VLSI 2024, ο imec είχε επιδείξει μια διεργασία ξηρής μεταφοράς MX₂ σε 300 mm που κατέγραψε για πρώτη φορά επαναλήψιμη διεργασία με εξαιρετική ομοιομορφία σε ολόκληρο τον wafer, με μορφολογική απόδοση άνω του 99,5%. Η παρούσα ανακοίνωση οικοδομεί επάνω σε αυτήν τη βάση, προσθέτοντας τη συμμετοχή της TSMC για την παραγωγή υψηλής ποιότητας μονοστρωμάτων TMD, και της ASML για τις λιθογραφικές λύσεις που καθιστούν εφικτή την κλίμακα των 50 nm CPP. Ένα από τα βασικά τεχνικά επιτεύγματα αφορά τα pFETs τύπου WSe₂. Σε συνεργασία με την TSMC, ο imec ξεκίνησε με συνθετικό διπλό στρώμα WSe₂ — δύο μονοστρώματα υψηλής ποιότητας από την TSMC — και στη συνέχεια οξείδωσε το επάνω μονοστρώμα, μετατρέποντάς το σε ενδιάμεσο στρώμα που υποστήριξε με επιτυχία την εναπόθεση του οξειδίου της πύλης HfO₂. Εφαρμογές-στόχοι και χάρτης πορείας Τα αποτελέσματα αυτά είναι σχεδιασμένα να τροφοδοτήσουν δύο κύριες εφαρμογές: ultra-scaled λογική σε μελλοντικές γενιές κόμβων, και ολοκλήρωση σε back-end-of-line (BEOL) καθώς και στο πίσω μέρος του wafer (backside). Ο imec εργάζεται για να εισαγάγει συσκευές 2D MX₂ στον κόμβο A7 του χάρτη πορείας λογικής τεχνολογίας του. Σε αυτή τη μελλοντική γενιά τεχνολογίας, τα CFET με κανάλια Si θα αποτελούν την υψηλής επίδοσης λογική CMOS, ενώ οι 2D συσκευές MX₂ στοχεύουν σε περιφερειακές θέσεις στο BEOL ή ακόμα και στο πίσω μέρος των wafer. Σύμφωνα με τον imec, όταν χρειαστεί να ολοκληρωθούν σε πολύπλοκες αρχιτεκτονικές CFET, θα υπάρχει ήδη εμπειρία: το 2D υλικό θα έχει εισαχθεί στο fab των 300 mm, οι λύσεις για εναπόθεση διηλεκτρικών και δημιουργία επαφών πηγής/αποστράγγισης θα είναι έτοιμες. Επιφυλάξεις Η ανακοίνωση είναι ερευνητική επίδειξη, όχι ανακοίνωση εμπορικού προϊόντος ή παραγωγικής εγκατάστασης. Τα χαρακτηριστικά I-V περιγράφονται ως «καλά» από τους εταίρους, χωρίς να δημοσιεύονται ακόμα ανεξάρτητα επαληθευμένες μετρήσεις επιδόσεων. Η μετάβαση από την εργαστηριακή επίδειξη στη μαζική παραγωγή παραμένει πολυετής διαδρομή, με ανοιχτές προκλήσεις στην αξιοπιστία, στην ομοιομορφία σε μεγάλα volumes και στο κόστος ανά wafer. Πηγές TechPowerUp – ASML, TSMC, and imec Achieve 300 mm Integration of 2D-Material Transistors with 50 nm Pitch Bits&Chips – ASML, TSMC and Imec scale 2D transistors to 50nm pitch on 300mm wafers imec – 2D-material based devices in the logic scaling roadmap imec Press – Advances in 2D-material based device technology

Η AMD πρόσθεσε τρεις επεξεργαστές βασισμένους σε Zen 2 και Zen+ στο επίσημο portfolio της, αρχιτεκτονικές που παρουσιάστηκαν το 2018-2019.Ο Ryzen 7 4700LE (AM4, 65 W, OEM) αποκτά 8 πυρήνες Zen 2 χωρίς ενσωματωμένα γραφικά, ενώ οι Ryzen 5 3501U και Ryzen 3 3100U έρχονται με Radeon Vega 8 και TDP 15 W για φορητά.Οι δύο κινητοί επεξεργαστές είναι προγραμματισμένοι για Q2 2026 σύμφωνα με τις επίσημες σελίδες προϊόντων της AMD· δεν έχει ανακοινωθεί τιμολόγηση. Η AMD ανανέωσε αθόρυβα το επίσημο χαρτοφυλάκιό της με τρεις επεξεργαστές που αναβιώνουν αρχιτεκτονικές γενιών παρελθόντος: Ryzen 7 4700LE, Ryzen 5 3501U και Ryzen 3 3100U. Η AMD πρόσθεσε χωρίς ανακοίνωση τους τρεις αυτούς επεξεργαστές στις επίσημες σελίδες προϊόντων της: έναν για desktop OEM συστήματα και δύο για κινητές ή ενσωματωμένες πλατφόρμες χαμηλού κόστους. Ryzen 7 4700LE: Zen 2 για desktop, μόνο μέσω OEM Ο Ryzen 7 4700LE βασίζεται στην αρχιτεκτονική Renoir και χρησιμοποιεί πυρήνες Zen 2. Η AMD του δίνει 8 πυρήνες και 16 νήματα, βασική συχνότητα 3,6 GHz και boost έως 4,2 GHz, με TDP 65 W και υποδοχή AM4. Αξιοσημείωτη απουσία: η σελίδα προδιαγραφών της AMD δεν αναφέρει ενσωματωμένα γραφικά, άρα απαιτείται ξεχωριστή κάρτα γραφικών. Ο Ryzen 7 4700LE αναφέρεται αποκλειστικά ως OEM επεξεργαστής, που σημαίνει ότι δεν θα βρεθεί σε λιανική πώληση και απευθύνεται σε κατασκευαστές έτοιμων συστημάτων. Σε αντίθεση με τα περισσότερα Renoir desktop APU της ίδιας γενιάς, η έλλειψη ενσωματωμένων γραφικών το τοποθετεί σε ένα διαφορετικό ρόλο: compact desktop συστήματα με ξεχωριστή GPU, όπου το κόστος και η κατανάλωση είναι προτεραιότητα. Ryzen 5 3501U και Ryzen 3 3100U: Zen+ για φορητά, με Vega 8 Οι δύο Ryzen 3000U παρουσιάζονται ως επεξεργαστές για φορητά, αν και η σελίδα της AMD τους χαρακτηρίζει κατάλληλους τόσο για laptops όσο και για desktops. Ο Ryzen 5 3501U έχει 4 πυρήνες και 8 νήματα, βασική συχνότητα 2,1 GHz και boost έως 3,7 GHz. Ο Ryzen 3 3100U είναι μοντέλο με 2 πυρήνες και 2 νήματα, βασική συχνότητα 1,9 GHz και boost έως 3,2 GHz. Και οι δύο κατασκευάζονται με διαδικασία 12 nm. Και οι δύο επεξεργαστές διαθέτουν ενσωματωμένα γραφικά Radeon Vega 8 με 8 μονάδες GPU στα 1,2 GHz. Το TDP ορίζεται στα 15 W και είναι ρυθμιζόμενο μεταξύ 12 W και 35 W ανάλογα με τις απαιτήσεις του συστήματος. Τα λειτουργικά χαρακτηριστικά και τα ενσωματωμένα γραφικά είναι πανομοιότυπα και για τους δύο επεξεργαστές. Και οι δύο υποστηρίζουν DDR4-2400 μνήμη και χρησιμοποιούν το πακέτο FP5. Σύμφωνα με τις επίσημες σελίδες προϊόντων της AMD, οι Ryzen 5 3501U και Ryzen 3 3100U είναι προγραμματισμένοι για Q2 2026. Δεν έχει ανακοινωθεί τιμολόγηση για κανέναν από τους τρεις επεξεργαστές. Γιατί το 2026 αρχιτεκτονικές του 2018; Η Zen+ κυκλοφόρησε το 2018 και η Zen 2 το 2019, αρχιτεκτονικές που έχουν προ πολλού αντικατασταθεί από Zen 4 και Zen 5 στα premium τμήματα αγοράς. Ο Ryzen 3 3100U βασίζεται σε Zen+, αρχιτεκτονική που παρουσιάστηκε το 2018. Η επιλογή της AMD να εντάξει αυτούς τους επεξεργαστές στο τρέχον portfolio δεν είναι τυχαία: η αγορά φθηνών φορητών και ενσωματωμένων πλατφορμών (embedded) δεν απαιτεί πάντα την τελευταία αρχιτεκτονική. Άλλοι κατασκευαστές τσιπ δείχνουν αυξημένο ενδιαφέρον για το τμήμα entry-level, ωστόσο τα νέα τσιπ της AMD δεν συγκρίνονται σε επιδόσεις με σύγχρονες επιλογές όπως τα Wildcat Lake της Intel, που στοχεύουν επίσης στο ίδιο τμήμα με ισχυρότερα ενσωματωμένα γραφικά. Η AMD, αντί να αναπτύξει νέα σχεδίαση, φαίνεται να ανακυκλώνει αποδεδειγμένες πλατφόρμες για να περιορίσει το κόστος παραγωγής σε ένα τμήμα αγοράς με εξαιρετικά χαμηλά περιθώρια κέρδους. Πηγές TechPowerUp: AMD Brings Back Zen2 / Zen+ Architecture with Three New Processors VideoCardz: AMD launches dual-core Ryzen 3 3100U Zen+ APU with Vega GPU for 2026 laptops WCCFTech: AMD Quietly Revives 7-Year-Old Zen+ Architecture With New Ryzen 3 3100U And Ryzen 5 3501U Laptop Chips

Το Ανώτατο Λαϊκό Δικαστήριο της Κίνας επικύρωσε την προσωρινή απαγόρευση πωλήσεων GaN τσιπς της Infineon σε ολόκληρη την κινεζική αγορά, με άμεση ισχύ.Η Innoscience, με παγκόσμιο μερίδιο 29,9% στην αγορά GaN το 2024 σύμφωνα με την TrendForce, ασκεί πίεση στην Infineon και σε τρία διαφορετικά μέτωπα: Κίνα, ΗΠΑ και Γερμανία.Η μετοχή της Innoscience στο Χονγκ Κονγκ ανέβηκε 16,6% τη Δευτέρα· η Infineon δεν απάντησε δημοσίως στην απόφαση. Το Ανώτατο Λαϊκό Δικαστήριο της Κίνας εξέδωσε στις 13 Ιουνίου 2026 οριστική απόφαση που επικυρώνει την απαγόρευση πωλήσεων GaN (Gallium Nitride — Νιτρίδιο του Γαλλίου) προϊόντων της γερμανικής Infineon Technologies στην κινεζική αγορά. Η απόφαση είναι οριστική και η Infineon απαγορεύεται πλέον από την πώληση των σχετικών προϊόντων GaN της σε ολόκληρη την ηπειρωτική Κίνα. Η αλυσίδα των δικαστικών αποφάσεων Η απόφαση του Ανωτάτου Δικαστηρίου ενισχύει προγενέστερη κρίση της 27ης Μαΐου 2026 του Ενδιάμεσου Λαϊκού Δικαστηρίου του Suzhou, το οποίο είχε διαπιστώσει ότι η Infineon παραβίασε δύο βασικές ευρεσιτεχνίες της Innoscience που αφορούν τεχνολογία GaN. Το δικαστήριο του Suzhou διέταξε την άμεση παύση κάθε παραβατικής δραστηριότητας — πωλήσεων, προσφορών και εισαγωγών των αμφισβητούμενων προϊόντων — και επιδίκασε στην Innoscience αποζημίωση 10 εκατ. RMB (περίπου 1,38 εκατ. δολάρια ΗΠΑ). Στις 24 Απριλίου 2026, το Δικαστήριο Διανοητικής Ιδιοκτησίας του Πεκίνου είχε επίσης επικυρώσει πλήρως την ισχύ των δύο βασικών ευρεσιτεχνιών της Innoscience, απορρίπτοντας τα σχετικά αιτήματα ακύρωσης που είχε καταθέσει η Infineon. Αυτή η διοικητική νίκη είχε ανοίξει τον δρόμο για την τελική δικαστική κρίση που εκδόθηκε τώρα. Ο πόλεμος πατέντας σε τρία μέτωπα Η διαμάχη δεν περιορίζεται στα κινεζικά δικαστήρια. Τον Μάιο του 2026, η πλήρης σύνοδος της αμερικανικής Επιτροπής Διεθνούς Εμπορίου (ITC) επιβεβαίωσε παλαιότερη κρίση ότι η Innoscience παραβίασε ευρεσιτεχνία της Infineon και διέταξε απαγορεύσεις εισαγωγών και πωλήσεων, εκκρεμεί 60ήμερη περίοδος προεδρικής αναθεώρησης· η Innoscience αμφισβητεί τον αντίκτυπο αυτής της απόφασης, επισημαίνοντας ότι η ίδια κρίση της ITC αθώωσε τα επανασχεδιασμένα τρέχοντα προϊόντα της και οι αμερικανικές αποστολές της συνεχίζονται. Ένα τρίτο μέτωπο άνοιξε στη Γερμανία, όπου το Περιφερειακό Δικαστήριο Μονάχου I διαπίστωσε παραβίαση ευρεσιτεχνίας από την Innoscience το 2025, με περαιτέρω δίκες να έχουν προγραμματιστεί. Συνολικά, σε αυτόν τον πολυμέτωπο νομικό ανταγωνισμό, κάθε πλευρά έχει καταγράψει νίκες και ήττες σε διαφορετικές δικαιοδοσίες. Αγορά και εμπορική βαρύτητα της απόφασης Η Innoscience ηγείται της παγκόσμιας αγοράς συσκευών GaN για το 2024 με μερίδιο 29,9% σύμφωνα με δεδομένα της TrendForce, ενώ η Infineon κατατάσσεται τέταρτη με 10,3%. Η Infineon αντιτάσσει τη δυνατότητα παραγωγής GaN σε υποστρώματα πυριτίου 300mm και περίπου 450 οικογένειες ευρεσιτεχνιών GaN, έναντι των εργοστασίων 8 ιντσών της Innoscience στο Suzhou και στο Zhuhai. Η ηπειρωτική Κίνα, το Χονγκ Κονγκ και η Ταϊβάν αντιπροσώπευαν από κοινού το 38% των εσόδων της Infineon για το οικονομικό έτος 2025, σύμφωνα με την ετήσια έκθεσή της. Με αυτό το δεδομένο, ο αποκλεισμός από την κινεζική αγορά δεν είναι συμβολικός — αποτελεί σοβαρό εμπορικό πλήγμα για τον γερμανικό κολοσσό. Σε έκθεση του Φεβρουαρίου 2026, η Infineon εκτιμά ότι η παγκόσμια αγορά GaN θα φτάσει τα 3 δισεκατομμύρια δολάρια ΗΠΑ έως το 2030, με σύνθετο ετήσιο ρυθμό ανάπτυξης 44%. Το GaN αποτελεί επίσης το υλικό που επιτρέπει στην Nvidia να μεταβεί από αρχιτεκτονική διανομής ισχύος 54V σε 800 VDC για ικρεώματα που ξεπερνούν τα 200kW. Αντίκτυπος στις αγορές Η μετοχή της Innoscience στο Χρηματιστήριο του Χονγκ Κονγκ ανέβηκε 16,6% τη Δευτέρα στον απόηχο της απόφασης, με το ράλι να επεκτείνεται και σε άλλες κινεζικές μετοχές υλικών ημιαγωγών. Η Infineon δεν απάντησε άμεσα σε αίτημα σχολιασμού. Αξίζει να σημειωθεί ότι οι δύο ευρεσιτεχνίες που επικαλέστηκε η Innoscience εγκρίθηκαν μέσα σε τρεις και έντεκα μήνες αντίστοιχα από την κατάθεσή τους, χάρη στο κινεζικό σύστημα προεξέτασης ευρεσιτεχνιών· αυτή είναι η πρώτη φορά που ευρεσιτεχνία χορηγημένη μέσω αυτού του συστήματος αποδεικνύεται αποτελεσματική σε μείζονα δικαστική διαμάχη. Πηγές Tom's Hardware — China's supreme court bans Infineon from selling GaN power chips in China PR Newswire — Innoscience Secures Final Victory in Patent Lawsuit Semiconductor Today — China's Supreme Court upholds injunction against Infineon South China Morning Post — Chinese compound chip stocks surge after Supreme Court ruling Innoscience — Milestone Victories Against Infineon at the Beijing Intellectual Property Court