Η Sandisk ξεκίνησε τη διάθεση δειγμάτων της BiCS10 1 Tb TLC 3D NAND
Τεχνικά χαρακτηριστικά σύμφωνα με τη Sandisk
Η εταιρεία αναφέρει ότι η BiCS10 χρησιμοποιεί τεχνικές πλευρικής κλιμάκωσης (lateral scaling) και βασίζεται στην αρχιτεκτονική Bit-Cost Scalable (BiCS) της Sandisk, σε συνδυασμό με την τεχνολογία CMOS directly Bonded to Array (CBA). Σύμφωνα με τη Sandisk, το αποτέλεσμα είναι πυκνότητα μνήμης άνω των 29 Gb/mm², βελτιωμένη κατά 59% σε σχέση με την προηγούμενη γενιά, καθώς και ταχύτητα διεπαφής έως 4,8 Gb/s, αύξηση 33% σε σχέση με τη 8η γενιά 3D flash που βρίσκεται σήμερα σε μαζική παραγωγή.
Η εταιρεία δηλώνει ακόμα ότι η νέα γενιά μειώνει την κατανάλωση ενέργειας κατά 10% στην εγγραφή δεδομένων (input) και κατά 34% στην ανάγνωση (output), σε σύγκριση με τη γενιά BiCS8. Όλα τα παραπάνω στοιχεία προέρχονται αποκλειστικά από την ανακοίνωση της Sandisk, χωρίς ανεξάρτητη επιβεβαίωση ή δημοσιευμένο χρονοδιάγραμμα μαζικής παραγωγής.
Πηγές
TechPowerUp
399
