Intel και Micron ανακοίνωσαν την έναρξη διαθεσιμότητας της πρώτης μνήμης τύπου QLC 3D NAND

Στις αρχές της εβδομάδας η Intel και η Micron, ανακοίνωσε την κατασκευή και αποστολή των πρώτων τσιπ μνήμης τύπου QLC 3D NAND. Η μνήμη τύπου QLC 3D NAND επιτρέπει την αποθήκευση 4bit πληροφορίας σε κάθε 3D NAND cell, το οποίο μεταφράζεται σε 33% μεγαλύτερη χωρητικότητα έναντι της TLC 3D NAND μνήμης. Αυτό δεδομένα θα οδηγήσει σε SSDs μεγαλύτερης χωρητικότητας.

Η νέα QLC 3D NAND, βασίζεται σε 3D NAND chip μνήμης δεύτερης γενιάς των 64 επιπέδων. Πρόκειται για τα πρώτα τσιπ μνήμης flash με χωρητικότητα 1Tb(terabit). Το πρώτο προϊόν στο οποίο θα αξιοποιηθεί η νέα μνήμη, είναι ο SATA SSD 5210 ION. Το μοντέλο αυτό το οποίο εντάσσεται στην κατηγορία SSD για επιχειρήσεις, θα προωθείται ως μια πιο οικονομική επιλογή με μειωμένες επιδόσεις τόσο στην εγγραφή όσο και στην αντοχή. Αυτό οφείλεται στο γεγονός ότι η μνήμη QLC έχει χαμηλότερο P/E(program/erase cycles), έναντι της TLC, αλλά και χαμηλότερες ταχύτητες εγγραφής. Για το λόγο αυτό η Micron προτείνει το 5210 ION να μην χρησιμοποιηθεί σε περιπτώσεις όπου ο SSD γεμίζει συνεχώς με νέα δεδομένα, π.χ. video recording, αλλά για εργασίες όπου το 90% αυτών είναι ανάγνωση. Η Micron έχει ήδη ξεκινήσει να αποστέλλει το μοντέλο 5210 ION σε επιλεγμένους πελάτες της, σε χωρητικότητες από 1.92 TB έως και 7.68 TB.

Οι δύο εταιρίες πάντως σκοπεύουν να συνεχίσουν παράλληλα την ανάπτυξη μνημών TLC 3D NAND και ειδικότερα μνήμες TLC 3D NAND μνήμης τρίτης γενιάς των 96 επιπέδων. Οι μνήμες αυτές θα προσφέρουν ακόμα υψηλότερες χωρητικότητες έναντι των νέων QLC 3D NAND, με το επόμενο βήμα πάντως να είναι μνήμες QLC 3D NAND των 96 επιπέδων.