Η SK hynix στέλνει δείγματα 12 στρωμάτων HBM4E σε μεγάλους πελάτες
Τεχνικά χαρακτηριστικά (στοιχεία SK hynix)
Σύμφωνα με την εταιρεία, το προϊόν προσφέρει μέγιστη ταχύτητα επεξεργασίας δεδομένων 16 Gbps ανά pin και ενεργειακή αποδοτικότητα άνω του 20% υψηλότερη σε σχέση με τα προηγούμενα μοντέλα. Για την επίτευξη χωρητικότητας 48 GB σε 12 στρώματα, η SK hynix χρησιμοποιεί την τεχνολογία Advanced MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill) — μια διαδικασία ένεσης υγρού προστατευτικού υλικού μεταξύ των chip κατά την τοποθέτησή τους σε στοίβα.
Η εταιρεία αναφέρει επίσης βελτίωση θερμικής αντοχής κατά 17% σε σύγκριση με το HBM4. Το HBM4E μειώνει, σύμφωνα με την SK hynix, την καθυστέρηση μεταφοράς δεδομένων μέσω βελτιστοποίησης διεπαφής και σχεδιασμού, διατηρώντας σταθερή λειτουργία σε περιβάλλοντα υψηλής εύρους ζώνης.
Ανταγωνισμός και επόμενα βήματα
Η Samsung Electronics είχε παραδώσει την πρώτη παρτίδα δειγμάτων HBM4E 12 στρωμάτων σε παγκόσμιους πελάτες στις 29 Μαΐου 2026, δηλαδή περίπου τρεις εβδομάδες νωρίτερα από την SK hynix. Σύμφωνα με την Counterpoint Research, η SK hynix κατείχε το 58% της παγκόσμιας αγοράς HBM στο πρώτο τρίμηνο του 2026, με Samsung και Micron να μοιράζονται το υπόλοιπο με 21% η κάθε μία.
Το HBM4 προηγούμενης γενιάς αναμένεται να χρησιμοποιηθεί στο supercomputer Vera Rubin της Nvidia, που προγραμματίζεται για το τρίτο τρίμηνο, ενώ το HBM4E αναμένεται να υιοθετηθεί στην πλατφόρμα Vera Rubin Ultra το επόμενο έτος.
Η SK hynix δήλωσε ότι θα συνεργαστεί στενά με τους εταίρους της για τη μαζική παραγωγή «σε εύθετο χρόνο». Η αποστολή δειγμάτων αποτελεί την αρχή της κούρσας μαζικής παραγωγής — καθοριστικοί παράγοντες θα είναι η επιτυχής πιστοποίηση από τους πελάτες και η έγκαιρη κλιμάκωση της παραγωγικής ικανότητας.
Πηγές
SK hynix Official Newsroom – HBM4E Sample Announcement TechPowerUp – SK hynix Ships Samples of 12-Layer Next-Gen HBM4E Korea Times – SK hynix ships 12-high HBM4E samples to customers
587
